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公开(公告)号：CN106501798A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611245251.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波测距技术领域，提供一种带有自校准功能的双探针微波叶尖间隙测试系统，用以克服现有系统中参考信号存在不足以及温度变化引起的谐振频率偏移导致测量误差增大的缺陷。本发明包括：功分器、检测电路、基准电路、数据处理模块，由功分器产生幅度和相位均相同的两路微波信号，分别输入检测电路和基准电路，分别产生检测信号和参考信号输入数据处理模块得到微波叶尖间隙。本发明通过设定固定间距的模拟叶片，检测电路与基准电路为完全对称电路结构，有效避免温度变化引起的谐振频率的偏移带来的影响；参考信号由基准电路产生，包含入射波经过环形器和探针产生的相移；即大大降低测量误差；实现自校准双探针微波叶尖间隙测试。
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公开(公告)号：CN104101451B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410339943.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种双敏感源的声表面波传感器，属于电子功能材料与器件技术领域。该传感器包括衬底基片，所述衬底基片为LGS衬底基片，衬底基片上设置有界面谐振器及AlN薄膜层，AlN薄膜层完全覆盖界面谐振器，AlN薄膜层上设置有表面谐振器，且表面谐振器在竖直方向的投影与界面谐振器的竖直投影重合，所述界面谐振器与表面谐振器皆为声表面波谐振器，声表面波谐振器中的金属薄膜电极的材质为耐高温金属。器件结构简单，能够同时对应力及温度进行有效监测，由于材质为LGS、AlN及耐高温金属，因而可适用于高温复杂环境，无源无线，稳定性强。本发明适用于对应力和温度同时进行监测。
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公开(公告)号：CN104118844A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410334894.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种硅基背面减薄方法，涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤：首先，配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；其次，待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；进而，减薄工艺完成后，去除生料带。由于硅胶及生料带成本低廉，安全性好，因此该方法有效克服现有技术中进行硅基减薄时保护其正面器件图形的方法成本高或使用局限性强的缺点，此外本方法适用于对不同尺寸的硅基减薄，尤其适用于实验室中应用，缩短实验周期，降低实验成本。
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公开(公告)号：CN101667673A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910167733.3
申请日：2009-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器，包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜，附着于基片上部的铁氧体膜片，紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段，位于基片底面的高电导率接地膜。该环行器由于在基片底面增设了凹槽，并在凹槽内置入了与其相同体积的金属块或在其内表面覆盖接地膜，其有效磁导率张量k/μ得到大幅度提高，而结阻抗则大幅度降低，在相同性能的前提下与背景技术相比、环行器的体积、厚度则可有效降低；从而具有在确保铁氧体环行器的性能和可靠性的前提下，可有效减小其体积、厚度；实现小型化、平面化、便于微波电路的集成，促进单片微波集成电路发展等特点。
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公开(公告)号：CN1790543A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410081514.0
申请日：2004-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁性层磁化方向的夹角存在确定的变化规律，来实现MRAM中存储单元信息的读取。利用本发明的方法可以实现MRAM中存储信息的快速读取，它具有高速读取且不降低存储密度的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115541049A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211359994.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有线性频率—温度特性的超材料温度传感器及其设计方法，属于超材料传感器技术领域。本发明通过在介质基板上设计由基片集成波导结构(SIW)和圆环形槽单元组成的双谐振超材料结构作为温度传感器使用。再设计SIW结构和圆环形槽的结构参数使得二者谐振频率满足b1fSIW0＝b2fslot0，进而设计得到一种具有线性频率—温度特性的超材料温度传感器。相比传统的超材料温度传感器，本发明提出的传感器具有线性的温度输出特性，从而有效地降低了信号处理的复杂度和难度。
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公开(公告)号：CN114674875A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210244668.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种压电薄膜纵向有效压电系数的测量方法。本发明基于不同电压激励下光纤激光干涉式PFM测量所得压电响应，用简谐振动模型描述探针‑样品振动行为，以减小热噪声的干扰和频率依赖性，利用简谐振动模型对压电响应多次拟合，提取出被测薄膜在不同激励下有效压电形变，结合不同激励下有效压电形变计算得到薄膜纵向有效压电系数，消除了PFM的压电响应信号频率依赖性和本底噪声的干扰，提高了信噪比。相比于传统压电系数测量方法本发明能实现精确的局部测量并绘制压电系数图谱，结果稳定且无频率依赖性。
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公开(公告)号：CN111366111B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010239329.9
申请日：2020-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体涉及一种利用三个LGS声表面波谐振器组成的应变传感器及测量方法。首先利用三个LGS声表面波谐振器建立三个谐振频率随温度变化和应变变化的关系式；然后根据声表面波谐振器在同一温度环境中，具有相同温度系数和不同应变系数的特点，消除温度及温度变化与应变变化耦合引起的谐振频率的变化；最后得到谐振频率与应变变化之间的关系式，通过该关系式即可求出待测物体应变变化的大小Δε。本发明完全消除了温度对于应变测试的影响，同时提高了应变测试的准确性。可用于任何温度环境中，且简单易操作。
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公开(公告)号：CN111257647B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010095658.0
申请日：2020-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种近场微波显微镜介电常数测量标定的软接触实现方法，属于近场微波显微镜的测试领域。采用至少3个已知介电常数的样品进行软接触测试，得到各样品在软接触时的谐振频率，然后通过拟合的方式得到常数A与f0，完成近场微波显微镜介电常数测量时的标定。本发明方法操作简单，误差较小，有效减小了针尖样品距离对介电常数测量的影响，很好地实现了利用近场微波显微镜测量介电常数时的标定。
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公开(公告)号：CN109633210B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910073039.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/00
Abstract: 一种基于近场微波显微系统测量薄膜尺寸的方法，利用近场微波显微镜的探针沿着薄膜样品待测尺寸方向分别经由不同材料的过渡边界来进行扫描，得到谐振曲线并对其进行求导得到谐振频率变化曲线，经拟合得到谐振频率变化曲线的极值点，然后调整探针与样品的间距后重复上述操作，继而得到一组随探针与样品的间距线性变化的极值点差值或者得到两组随探针与样品的间距线性变化的极值点，通过线性拟合得到直线的截距或者两条直线截距的差值即为即为薄膜样品待测方向的尺寸。本发明实现了对薄膜样品平面尺寸的精确测量，有利于准确的表面形貌分析与材料分析，有利于缺陷精确检测的应用；同时避免测量良导体时探针与其接触情况下使得谐振频率消失导致无法测量的问题。
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