公开(公告)号：CN102354706A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110309625.2

申请日：2011-10-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  单亚东 ,  张金平 ,  张波 ,  任敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10

Abstract: 一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽型绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在N-漂移区内引入P型埋岛结构。当器件反向阻断时，P型埋岛结构及其附近的N-漂移区耗尽，通过P型埋岛结构引入正电荷的附加电场，降低了沟槽型栅底部的电场尖峰，从而提高了器件的耐压。当器件正向导通时，所引入的P型埋岛结构对正向特性无影响。本发明适用于高压半导体功率器件和功率集成电路领域。

公开(公告)号：CN103794647A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410070465.4

申请日：2014-02-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L21/187 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种双向IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述双向IGBT器件元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构，MOS结构的P型体区与衬底漂移区之间具有N型埋层，MOS结构的栅结构底部与衬底漂移区之间具有P型埋层。所述双向IGBT器件可采用两片硅片分别制作后键合而成，也可采用单片硅片双面加工而成。本发明使双向IGBT具有对称的正、反向特性，并在相同的器件耐压下具有更薄的漂移区厚度，更好的载流子浓度分布和电场分布，使器件获得了更好的正向导通特性以及正向导通特性与关断损耗特性的折中。

公开(公告)号：CN103489907A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310420417.9

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  顾鸿鸣 ,  宋文龙 ,  单亚东 ,  刘建 ,  吴明进

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/4236

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料上表面上形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了第一种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；在体区中还形成了第一种导电类型的半导体区，在体区中形成了第二种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管。

公开(公告)号：CN103258848A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310175984.2

申请日：2013-05-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  单亚东 ,  宋文龙 ,  顾鸿鸣 ,  邹有彪 ,  宋洵奕

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

Abstract: 一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明通过在N+发射区里面深能级受主杂质（包括In、Ti、Co或Ni），使得深能级受主杂质电离后产生的空穴对N型杂质具有一定的补偿作用，以提高增大EBR电阻，这样就实现了正温度系数的发射极镇流电阻，使得IGBT器件随温度升高，发射极镇流电阻增大，提高IGBT的短路和抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN103489910B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201310422706.2

申请日：2013-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  顾鸿鸣 ,  单亚东 ,  邹有彪 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种电导调制型功率半导体器件及其制造方法。本发明的功率半导体器件，在器件终端n型缓冲层与p型集电区之间引入了一层氧化层，所述氧化层将终端区域n型缓冲层与p型集电区完全隔离，可以显著降低终端区域的空穴注入效率，抑制关断过程中终端等位环处的电流集中效应，降低等位环附近的温度，抑制器件终端的热击穿和动态雪崩击穿，改善器件的关断特性，提高可靠性。本发明尤其适用于功率半导体器件。

公开(公告)号：CN103414333B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310281957.3

申请日：2013-07-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  曾智 ,  刘广涛 ,  吴明进 ,  单亚东 ,  任敏 ,  张金平

IPC: H02M1/42

CPC classification number: Y02B70/126 ,  Y02P80/112

Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种有源功率因数校正控制器。本发明所述的一种有源功率因数校正控制器，包括电流采样模块、功率器件、误差放大器、补偿网络、乘除法调制电路、迟滞比较模块、逻辑模块和驱动模块，通过电流采样模块采集电感电流，然后通过迟滞比较模块对电感电流的波形和输出波形进行迟滞比较，从而控制占空比，实现平均电流迟滞控制模式，同时反馈信号和输入的正弦波经过乘法器的调制，达到功率因数校正。本发明的有益效果为，相对传统模式具有响应速度快，外接电感小的优点，并大大减小了PCB板的体积，对补偿网络要求低，还减小了芯片面积和功耗。本发明尤其适用于有源功率因数校正控制器。

公开(公告)号：CN103414333A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310281957.3

申请日：2013-07-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  曾智 ,  刘广涛 ,  吴明进 ,  单亚东 ,  任敏 ,  张金平

IPC: H02M1/42

CPC classification number: Y02B70/126 ,  Y02P80/112

Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种有源功率因数校正控制器。本发明所述的一种有源功率因数校正控制器，包括电流采样模块、功率器件、误差放大器、补偿网络、乘除法调制电路、迟滞比较模块、逻辑模块和驱动模块，通过电流采样模块采集电感电流，然后通过迟滞比较模块对电感电流的波形和输出波形进行迟滞比较，从而控制占空比，实现平均电流迟滞控制模式，同时反馈信号和输入的正弦波经过乘法器的调制，达到功率因数校正。本发明的有益效果为，相对传统模式具有响应速度快，外接电感小的优点，并大大减小了PCB板的体积，对补偿网络要求低，还减小了芯片面积和功耗。本发明尤其适用于有源功率因数校正控制器。

公开(公告)号：CN102969249A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210430641.1

申请日：2012-11-01

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状的平缓台阶，这有利于后续薄膜的覆盖，利于提高器件（尤其是终端部分）的可靠性，制作过程中可以通过控制反应时间、反应温度和反应气体比例来控制氧化层的厚度及边缘鸟嘴区宽度，因此还有利于图形精度的提高。

公开(公告)号：CN103489910A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310422706.2

申请日：2013-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  顾鸿鸣 ,  单亚东 ,  邹有彪 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种电导调制型功率半导体器件及其制造方法。本发明的功率半导体器件，在器件终端n型缓冲层与p型集电区之间引入了一层氧化层，所述氧化层将终端区域n型缓冲层与p型集电区完全隔离，可以显著降低终端区域的空穴注入效率，抑制关断过程中终端等位环处的电流集中效应，降低等位环附近的温度，抑制器件终端的热击穿和动态雪崩击穿，改善器件的关断特性，提高可靠性。本发明尤其适用于功率半导体器件。

公开(公告)号：CN103258847A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310168350.4

申请日：2013-05-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  杨文韬 ,  宋洵奕 ,  陈钱 ,  单亚东 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N—漂移区之间，N—漂移区与P+集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层，同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层，在满足器件耐压要求的条件下，通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降和关断损耗。