公开(公告)号：CN110176924A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910122847.X

申请日：2019-02-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樫原洋次

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种电平移位器，其可以保持操作裕量并增强超过击穿电压防止效果。实施例中的电平移位器包括耦合在成对的第一导电类型交叉耦合晶体管与成对的第二电类型输入晶体管之间的超过击穿电压防止电路。超过击穿电压防止电路包括被串联耦合到彼此的第一导电类型第一晶体管和第二导电类型第二晶体管，以及在较高电势侧上被串联耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一导电类型第三晶体管。

公开(公告)号：CN105845178A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610051314.3

申请日：2016-01-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樫原洋次

IPC: G11C16/10 ,  G11C8/10 ,  G11C8/16

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。非易失性存储器的解码电路中的电平移位器的数量减少。半导体器件由电可重写非易失性存储器单元阵列和解码电路构成，解码电路产生用于存储器栅极线即字线的驱动器的选择信号。解码电路包括在预解码之后将信号升压的电平移位器。通过解码被逻辑运算电路中的电平移位器升压的预解码信号，产生选择信号。在各电平移位器的前一级中，设置用于根据操作模式将预解码信号的逻辑电平反转的逻辑门。当解码升压后的预解码信号时，逻辑运算电路根据操作模式执行不同的逻辑运算。