公开(公告)号：CN112400216B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN201980042664.5

申请日：2019-06-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 爱泽和人 ,  前田淳

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/38 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的断裂能为13～80MJ/m3。

公开(公告)号：CN112400216A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201980042664.5

申请日：2019-06-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 爱泽和人 ,  前田淳

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/38 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的断裂能为13～80MJ/m3。

公开(公告)号：CN109743881A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201780055585.9

申请日：2017-09-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 爱泽和人 ,  前田淳

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  C09J4/02 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。