公开(公告)号：CN102449784B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080022788.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山中贞则 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/14 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L27/1446 ,  G01J5/024 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。

公开(公告)号：CN102449775B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201080023680.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/076 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0522 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。

公开(公告)号：CN103814437A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201280045370.6

申请日：2012-09-21

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 高田朋幸 ,  山田永 ,  秦雅彦 ,  前田辰郎 ,  板谷太郎 ,  安田哲二

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813 ,  H01L21/187 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：在半导体结晶层形成基板上依次形成牺牲层及半导体结晶层的步骤；将半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得半导体结晶层形成基板的第一表面与转印目的基板的要与第一表面相接触的第二表面相面对；将半导体结晶层形成基板及转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对牺牲层进行刻蚀，在使半导体结晶层保留在转印目的基板侧的状态下将转印目的基板与半导体结晶层形成基板相分离的步骤。此处，转印目的基板具有非柔性基板和有机物层，有机物层的表面为第二表面。

公开(公告)号：CN100570872C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN02829215.4

申请日：2002-05-24

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 板谷太郎 ,  八木修一

IPC: H01L27/04 ,  H01P3/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01P3/003 ,  H01L27/08

Abstract: 一种电信号传输线，包括形成在半导体衬底(1)上的信号电极部分(2)、接地电极部分(3)和介电部分(4)。信号电极部分(2)具有电信号流过的金属电极(21)、上导电半导体(22)和下导电半导体(23)。接地电极部分(3)具有接地金属电极(31)和导电半导体(32)。在上导电半导体(22)和下导电半导体(23)具有相反的极性的情形下，信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)用半导体PN结连接。介电材料填满和覆盖信号电极部分(2)的金属电极(21)和接地电极部分(3)的金属电极(31)之间的区域，电力线穿过该区域形成介电部分(4)。在这种结构下，可以提供能够高速电信号传播和用目前的半导体制造方法以稳定质量制造的电信号传输线。