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公开(公告)号：CN109574491B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN108469648B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810453514.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤及制造方法，其裸光纤由内到外依次包括芯层和包层，所述芯层包括由内而外依次设置的内芯层和外芯层，所述内芯层的半径R1为1.5～3μm，所述内芯层的相对折射率差Δ1为‑0.01％≤Δ1≤0，所述外芯层的半径R2为5～6μm，所述外芯层的相对折射率差Δ2为0≤Δ2≤0.05％；所述芯层几乎不掺锗，所述芯层为氟与碱金属氧化物共掺的二氧化硅玻璃层；所述包层包括由内而外依次设置的下陷包层和外包层，所述下陷包层的半径R3为40～50μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3为‑0.25％≤Δ3≤‑0.15％，所述下陷包层半径R3与所述外芯层半径R2的比例R3/R2≥8，所述外包层半径R4为62.5μm，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明能够降低衰减系数，增大有效面积。
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公开(公告)号：CN109574491A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN107179579A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710428285.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/01853 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，低损耗光纤由内至外依次包括芯层和相邻包层，芯层不含锗，芯层中氟的含量小于或等于0.1wt％，芯层的相对折射率差小于或等于0.05％，相邻包层中氟的含量为1～2wt％，相邻包层的相对折射率差小于或等于‑0.28％；芯层和相邻包层中掺有碱金属卤代物。本发明，在满足芯包折射率设计前提下，在缩棒过程中，通过加入碱金属卤代物，既可以降低1383nm波长处由氢氧根引起的衰减，同时通过优化锗、氟、钾离子掺杂浓度，可以匹配芯层和包层的粘度，从而有效降低了拉丝过程中纤芯应力集中所造成的光纤衰减增加。
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