一种光纤预制棒制造设备
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112408775B

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202011270499.X

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本发明涉及光纤预制棒生产技术领域,具体涉及一种光纤预制棒制造设备,该光纤预制棒制造设备,包括:密封机构,其包括间隔设置的进气端密封件和出气端密封件,用于密封反应管的两端;还包括微波谐振腔,其用于套设在所述反应管的外侧,并可沿所述反应管的轴向方向往复运动;还包括进气管,其包括用于伸入所述反应管的出气端,所述进气管穿过进气端密封件,且所述出气端被配置为在所述反应管内与所述谐振腔同步往复运动。本发明能够解决现有技术中反应管内的反应物在每个沉积点的反应浓度不一致,会导致光棒在轴向上不均匀的问题。

    一种辐射不敏感单模光纤
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112824943B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201911140954.1

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种辐射不敏感单模光纤,涉及耐辐射光纤领域,该光纤由内至外依次包括:纤芯、过渡包层、下陷包层和外包层;其中,所述纤芯和所述过渡包层均包含掺氟元素的石英材料;所述下陷包层和所述外包层均包含氟元素与耐辐射金属离子共掺的石英材料。本发明提供的辐射不敏感单模光纤不仅具有较低的本征损耗,并且对于总剂量为2MGy内的稳态γ辐射具有良好的辐射耐受性。此外,本发明提供的辐射不敏感单模光纤对85℃温度下的干热老化环境或湿度为85%、温度为85℃下的湿热老化环境具有较强的稳定性,可以克服传统光纤在热核辐射环境下易大幅产生辐致损耗的缺点。

    一种高模式数量且弱耦合的少模光纤

    公开(公告)号:CN113740958A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110996123.5

    申请日:2021-08-27

    Abstract: 本申请涉及一种高模式数量且弱耦合的少模光纤,其包括由内到外依次设置的椭圆芯层、椭圆环形芯层、椭圆环形下陷包层和外包层;在所述椭圆环形下陷包层上设有两个空气孔,两个所述空气孔关于所述椭圆环形芯层的短轴轴对称;在所述椭圆芯层、椭圆环形芯层和椭圆环形下陷包层中,三者的中心大致重合,三者的长轴位于同一直线上,三者的短轴位于同一直线上;所述椭圆芯层与所述椭圆环形芯层的折射率剖面的形状均为水平直线形;所述椭圆芯层的折射率小于所述椭圆环形芯层的折射率。本申请能够解决相关技术中光纤可用的模式数量较少,远不能满足长距离大容量扩容的需求的问题。

    一种大尺寸光纤预制棒芯棒的制备方法

    公开(公告)号:CN112876060A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110145567.8

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本申请涉及一种大尺寸光纤预制棒芯棒的制备方法,其包括如下步骤:提供反应管,反应管包括由内到外套设的多个基管;最内侧的基管的内空间,以及任意相邻的两个基管之间的空间,各自形成一个沉积腔;采用PCVD工艺,向各个沉积腔中通入相应的反应气体,并完成沉积工序;执行熔缩工序,得到大尺寸光纤预制棒芯棒。本申请采用多个基管套设形成的反应管,除了最内侧的基管的内壁作为沉积面以外,每增加一个基管,就可以使相邻的两个基管中位于内侧的基管的外表面作为沉积面,从而使得每增加一个基管,就可以多出两个沉积面,这样在进行沉积时,可以大大地提高单位时间内沉积效率。

    一种提高PCVD原料气体沉积均匀性的系统、方法和应用

    公开(公告)号:CN111517634A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010286507.3

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种提高PCVD原料气体沉积均匀性的系统、方法和应用,涉及光纤预制棒生产技术领域。该系统包括衬管、微波发生器和内设测温探头的保温炉;其中,保温炉沿衬管的轴向方向依次设有气端、中间端和泵端区域;微波发生器在各区域的预设输出功率相同;该系统还包括PLC控制单元,其被配置为,根据测温探头反馈的实时位置的设定温度,确定气端区域终止位置或中间端区域起始位置、中间端区域终止位置或泵端区域起始位置,并在气端区域起始位置、泵端区域起始位置改变微波发生器的实际输出功率,且在气端区域和泵端区域维持改变的实际输出功率恒定。本发明操作简单,自动化作业程度高,实现了衬管沉积段整体沉积的均匀性,且有效降低了制棒成本。

    抗弯曲多模光纤
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108333671A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810103238.5

    申请日:2018-02-01

    Inventor: 喻煌 赵梓森

    Abstract: 本发明公开了一种抗弯曲多模光纤,涉及光纤领域,包括:芯层,芯层折射率剖面呈抛物线形,且分布指数α为1.95~2.05,芯层的半径R1为8~12μm,芯层的最大相对折射率差Δ1%max为0.8%~1.2%。内包层,其紧密围绕芯层,内包层的半径R2为8~17μm,内包层的相对折射率差Δ2%为-0.1%~0.05%。以及下陷包层,其紧密围绕内包层,下陷包层的半径R3为9~22μm,下陷包层的相对折射率差Δ3%为-0.8%~-0.3%。本发明中的抗弯曲多模光纤抗弯曲性能良好,在受到偶然弯曲后,能够限制信号衰减和信噪比劣化。

    低损耗少模光纤
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104793285B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201510217081.5

    申请日:2015-04-29

    CPC classification number: G02B6/03666 G02B6/0288

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗少模光纤,涉及光通信及相关传感器件技术领域,所述少模光纤自内而外依次包括芯层、掺氟石英内包层、掺氟石英第二芯层、掺氟石英下陷包层以及掺氟石英外包层;所述芯层中未掺杂锗元素,该芯层的折射率呈渐变分布,且分布为幂指数分布;芯层与掺氟石英内包层的相对折射率差最大值为0.3%~0.9%;掺氟石英内包层相对合成石英的相对折射率差为‑0.3%~‑0.5%;掺氟石英第二芯层与掺氟石英内包层相对折射率差为0.05%~0.2%;掺氟石英下陷包层与掺氟石英内包层的相对折射率差为‑0.1%~‑0.5%;掺氟石英外包层相对合成石英的相对折射率差为‑0.3%~‑0.5%。本发明降低了少模光纤所支持线偏振模式光信号的传输损耗及中继成本。

    一种双包层有源光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN104777552B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201510155189.6

    申请日:2015-04-02

    Abstract: 本发明公开了一种双包层有源光纤及其制造方法,该方法包括以下步骤:S1:制备光纤预制棒前驱体;S2:对石英包层进行石英冷加工,在石英包层上钻圆孔;S3:制备环形波导预制棒;S4:将环形波导预制棒组装至圆孔,形成有源光纤预制棒;S5:对有源光纤预制棒拉丝,形成双包层有源光纤。双包层有源光纤的石英包层为D形或者正多边形;石英包层内设置有环形波导纤芯,环形波导纤芯螺旋环绕于石英纤芯周围,每米石英纤芯上环绕有0.5~120个螺旋。本发明加工精度高,制造难度较低;制造双包层有源光纤时,能够比较容易使环形波导纤芯环绕于石英纤芯周围,保证双包层有源光纤的光学性能和可靠性。

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