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公开(公告)号：CN105789292A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610293097.9
申请日：2016-05-05
Applicant: 湖南大学 , 江西中能电气科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/367 , H01L23/492
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距；通过将两发射极分别与对应的所述底部金属板和所述顶部金属板连接，解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”带来的不易封装的问题，同时使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，并使单芯片双向IGBT单管具备了双面散热能力，提高了功率密度。
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公开(公告)号：CN102270640B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110165859.4
申请日：2011-06-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/102 , H01L21/8222
Abstract: 本发明公开了一种大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT及其制造方法。所述大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT包括一个IGBT整晶圆和全压接平板式封装，所述的整晶圆包括多个独立的IGBT器件区，每个IGBT器件区由又多个IGBT单元并联组成，所有IGBT器件区的集电极并联为总集电极，每个IGBT器件区单独引出发射极，所有工作状态正常的IGBT器件区的门极用互联线连接到位于晶圆中心的总门极而其发射极通过发射极金属垫片并联到总发射极金属电极板。本发明实现了大电流IGBT整晶圆器件，保持了IGBT高工作电压、低开关功耗、门极电压控制简单的优点，同时提高了器件电流导通能力，导热性能，耐热冲击能力和长期可靠性，解决了IGBT单元之间性能匹配的问题。
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公开(公告)号：CN112736877B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011630134.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H02H7/26 , H02H3/087 , H02J1/00 , H03K17/082
Abstract: 本发明公开一种基于模块化SiC JFET主动钳位控制串联技术的直流固态开关及其控制方法，直流固态开关包括检测模块、控制模块、固态开关模块；检测模块与固态开关模块串联在直流母线上，控制模块并联在检测模块和固态开关模块两端。其控制方法为：步骤S1：利用分压电路实现电压反馈；步骤S2：通过反馈回来的Model1和Model2的DS两端电压与参考电压Vref对比；反馈控制电路输出开通或关断信号，驱动Model1、Model2模块导通或关断。本发明通过单驱动串联加有源钳位的串联方法，有效抑制模块内的功率半导体承受的电压；能轻松实现10个SiC JFET串联使用，可靠性高，成本低，控制简单。
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公开(公告)号：CN113224789B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110474882.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种动态主从控制系统及用其进行孤岛微电网二次控制的方法，所述系统包括依次连接的端口电压电流采集模块、下垂控制模块、协调控制模块和差异延时模块，所述下垂控制模块还与PWM驱动模块、三相逆变桥依次连接；本发明能够动态协调微电网的电压，实现微电网功率比例均分和电压恢复。
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公开(公告)号：CN108565861B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810395023.5
申请日：2018-04-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H02J3/02
Abstract: 本发明提供一种孤岛虚拟同步微电网的调频方法和系统、存储介质，该方法包括：采用循环方式对所述微电网中的逆变器进行调频，直至各个逆变器达到额定频率；其中，每一个循环过程包括：S101、采用差异延时方法确定所述微电网中相对有功出力最多的一台逆变器作为参考单元，并将所述参考单元的本地出力因子作为该循环过程的最大出力因子通过通信线路发送给所述微电网中其他的逆变器；S102、确定该逆变器的有功功率调整量；S103、根据所述有功功率调整量对该逆变器进行调频。本发明能够为在尽可能降低通信复杂程度的前提下，实现频率的调整与有功功率的比例均分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109449878A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811242845.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明实施例公开一种低压直流开关控制系统，包括：主开关、采样电路、控制电路、DC/DC正反激电路；所述采样电路采集所述主开关漏源级间的压降为采样信号；所述控制电路根据所述采样信号判断所述主开关故障后，发出断开指令；所述DC/DC正反激电路接收所述动作指令，根据所述断开指令控制所述主开关断开。本发明实施例，采样电路采集主开关漏源级间的压降为采样信号，控制电路根据采样信号判断主开关故障后，发出断开指令，DC/DC正反激电路接收动作指令，根据断开指令控制主开关断开。从而能够在更短时间内控制主开关断开，以提高故障隔离速度。
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公开(公告)号：CN107196344A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710418662.4
申请日：2017-06-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了基于SPF‑PLL带本地负荷的自同步虚拟同步逆变器并网控制器及方法，由逆变器输出电压电流信息采集模块、网侧电压信息采集模块、虚拟同步逆变器控制模块、离/并网切换模块、PWM驱动器组成；解决了虚拟同步逆变器在孤岛模式和并网模式切换过程中产生的冲击电流等问题，实现带负载虚拟同步逆变器从孤岛模式到并网模式的无缝切换。
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公开(公告)号：CN105914196A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610292328.4
申请日：2016-05-05
Applicant: 江西中能电气科技股份有限公司 , 湖南大学
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L24/45 , H01L2224/4502
Abstract: 本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括单芯片双向IGBT器件、底部金属板、外部引脚和绝缘外壳；底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极区设置；底部金属板与第二门极区保持适当绝缘间距；单芯片双向IGBT器件的各个发射区和门极区分别与对应的外部引脚连接；绝缘外壳包裹在单芯片双向IGBT器件的外围，底部金属板的下表面外露。本发明解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”这一特点带来的不易封装的问题；使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，与由两只逆阻型IGBT单管构成的双向开关相比，功率密度更高，非常适用于高性能电力电子装置与系统，如矩阵式变换器等，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105789293A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610294630.3
申请日：2016-05-05
Applicant: 湖南大学 , 江西中能电气科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/367 , H01L23/492
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明涉及一种单芯片双向IGBT模块的封装结构，其包括依次设置的底部金属板、底部DBC板、单芯片双向IGBT器件、顶部DBC板以及顶部金属板；底部DBC板包括第二门极覆铜区和第二发射极覆铜区；单芯片双向IGBT器件的第二门极和第二发射极分别与第二门极覆铜区和第二发射极覆铜区连接；顶部DBC板包括第一门极覆铜区和第一发射极覆铜区。将单芯片双向IGBT器件上、下表面的电极分别焊接在两块DBC板上，利用焊接互连代替了金属键合线互连，解决了金属键合线及其焊接界面热机械疲劳失效的问题，提高了模块的耐电流冲击能力和可靠性；同时，与金属键合线互连相比，焊接互连缩短了外部引脚与电极互连的距离，减小了模块的寄生参数。
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公开(公告)号：CN110061726B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201910396826.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687 , H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC JFET的串联型直流保护开关，属于直流保护开关技术领域。包括主开关模块、采样模块、单片机控制模块、光耦隔离模块和驱动模块。通过在接入直流电路的主开关模块中串联若干宽禁带半导体器件SiC JFET，并将采样模块并联在主开关模块的两端进行信号采样，同时与光耦隔离模块、单片机控制模块配合连接；单片机控制模块的输出端连接驱动模块，在驱动模块中仅设置一个驱动电路，且与主开关模块链接，驱动整个串联的SiC JFET的通断并实现静态或动态均压。本发明解决现有技术中驱动电路复杂的问题，实现系统正常运行时的静态均压、投切负载与切除故障过程中的动态均压以及能够快速可控可靠的故障隔离。
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