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公开(公告)号：CN118994058A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411102720.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 湖南大学
IPC: C07D295/088 , C08F136/20 , C08F136/08 , C08F236/10 , C08F297/04 , C08F2/38
Abstract: 本发明公开了一种1‑(2‑烷氧基乙基)哌啶调节剂(式Ⅰ)以及制备方法、一种含有(式Ⅰ)所示的1‑(2‑烷氧基乙基)哌啶的阴离子聚合调节剂体系。采用本发明的阴离子聚合调节剂体系能够高效提高共轭二烯阴离子聚合产物中侧基结构(1,2‑和3,4‑结构)(其含量达到92％)，并能调节其共轭二烯烃与苯乙烯共聚物的微观结构，实现苯乙烯结构单元在大分子链上的无规分布。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN104973593B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510340731.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种层状材料剥离方法，称取30‑70％的层状材料、0.2‑5％的有机插层剂、其余为溶剂，搅拌混合得到浆料，放入密闭容器中，静止浸渍；不断搅拌下加热，将浆料过滤、洗涤、干燥，得到的滤饼；将10‑50％的滤饼、0.5‑30％的无机插层剂、其余为溶剂，装入密闭容器，混合均匀调成浆料，静止浸渍；50‑200℃条件下将装有浆料的密闭容器加热2‑8h，冷却至室温，反复加热、冷却；过滤、清洗，得到二次滤饼和滤液剂；加入到溶剂中超声剥离；将分散液过滤，用去离子水清洗，真空干燥即得。解决目前现有技术制备二维晶体材料所存在的效率低，产量小，高环境污染等问题。在二维晶体材料中不引入缺陷和杂质。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102021573B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010606722.3
申请日：2010-12-27
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明为一种贵金属-石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法，它是以贵金属离子或配离子、氧化石墨烯为原料，通过溶剂诱导自组装方法得到的贵金属-石墨烯双层复合导电膜。双层复合导电膜的贵金属层、石墨烯层及整体膜的厚度可以通过贵金属离子溶液、氧化石墨烯溶液的浓度和体积进行调控，双层复合导电膜中银层与石墨烯层的导电性可以调控。本发明提供了一种稳定、可靠的贵金属-石墨烯双层复合导电膜制备方法。本发明提供的贵金属-石墨烯双层复合导电膜可用于电子器件。
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公开(公告)号：CN102659096A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210128930.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 湖南大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及石墨烯制备及其应用技术领域，制备一种高质量石墨烯分散液，并且用所制备的石墨烯分散液可以在多种基底上获得石墨烯薄膜的制备方法，它是通过对石墨烯进行预处理，使石墨的层间距增大，有利于在较短时间内超声剥离。所制备的石墨烯分散液可以通过沉积、旋涂或喷涂制备出厚度可控的石墨烯薄膜。本发明剥离石墨烯超声时间短，设备简单，条件温和，成本低，得到的石墨烯分散液稳定，石墨烯薄膜质量高。本方法解决了现有液相剥离石墨烯制备方法中长时间超声剥离，石墨烯容易团聚、沉淀，无法实现工业化生产等问题。
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公开(公告)号：CN102021573A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010606722.3
申请日：2010-12-27
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明为一种贵金属-石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法，它是以贵金属离子或配离子、氧化石墨烯为原料，通过溶剂诱导自组装方法得到的贵金属-石墨烯双层复合导电膜。双层复合导电膜的贵金属层、石墨烯层及整体膜的厚度可以通过贵金属离子溶液、氧化石墨烯溶液的浓度和体积进行调控，双层复合导电膜中银层与石墨烯层的导电性可以调控。本发明提供了一种稳定、可靠的贵金属-石墨烯双层复合导电膜制备方法。本发明提供的贵金属-石墨烯双层复合导电膜可用于电子器件。
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