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公开(公告)号：CN115799064A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211424049.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及超级结肖特基二极管及制造方法、电子元件。该用于制造超级结肖特基二极管的方法包括：形成预制超级结结构，其中，预制超级结结构包括密铺设置的多个预制超级结元胞；通过对预制超级结结构进行离子注入，形成终端结构和超级结结构，其中，终端结构具有环形形状，并围绕限定出超级结结构的有源区；以及形成金属层，其中，金属层位于有源区，金属层与超级结结构实现肖特基接触。本公开在有源区和终端区采用密铺的超级结元胞设计，能够解决在超级结器件制备过程中因对准标记损坏引发的对准问题。
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