一种高成品率铸造单晶硅生长方法和热场结构

    公开(公告)号:CN110106546A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910439879.2

    申请日:2019-05-24

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种高成品率的铸造单晶硅生长方法:将籽晶固定于籽晶夹持机构上,对热场中的硅料加热熔化,保持籽晶和顶部塑型加热器的高度位于硅料溶体液面以上;硅料熔化完成后,籽晶夹持架构引导籽晶籽晶浸入硅料熔体液面以下;当硅料熔体液面下籽晶部分熔化,形成新的固液界面后籽晶夹持机构向上提拉,硅料熔体从籽晶面向下结晶形成晶锭;在籽晶夹持机构向上提拉过程中,热场的顶部散热门向两边打开,顶部塑型加热器随硅料熔体液面下移;结晶过程完成后,保持顶部散热门为最大开口,分离籽晶,取出晶锭。本发明还公开了一种采用上述方法的热场结构。该方法和热场结构可以减少铸造单晶硅晶锭头、尾及边片的低少子红区截断量,提高产品合格率。

    一种结构损伤检测方法和系统

    公开(公告)号:CN106990168A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710198947.1

    申请日:2017-03-29

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G01N29/045 G01N29/12 G01N2291/0289

    Abstract: 本发明公开了一种结构损伤检测方法和系统,利用健康声子晶体与其他外加结构组合成新的人工周期结构,通过新的人工周期结构的缺陷模式来判定外加结构的缺陷(损伤),当观测到带隙当中出现共振峰,即认为待测对象有损伤。根据带隙内通带的漂移情况来测量损伤的大小,为声子晶体缺陷模式的应用提供新的途径。

    一种正交频分复用的跳频同步实现方法

    公开(公告)号:CN1719820A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200510035709.6

    申请日:2005-07-08

    Abstract: 一种正交频分复用的跳频同步实现方法,包括以下步骤:在发送端的数据帧结构中增加跳频同步帧,接收端接收到数据之后,首先进行跳频截获的处理,搜索和检测有无包含有码元同步信息的跳频同步信号,消除误捕获而建立正确的跳频同步;收发双方实现同步跳频并开始接收后续的信息命令和数据。本发明由于采用在数据帧中增加跳频同步帧与采用慢搜索方法进行跳频截获处理相结合的方法来实现跳频同步,既利用增加的具有帧同步和载波频偏补偿能力的跳频同步帧来提高实际信号率,又通过采用低于正常跳频速率的慢搜索方法进行跳频截获并根据接收到的信号信息采取漏检保护和虚检保护相结合来有效保证跳频同步机制有很高的可靠性。

    一种应用含缺陷声子晶体梁双局域化特性的能量采集装置

    公开(公告)号:CN207573264U

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201721571929.5

    申请日:2017-11-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种应用含缺陷声子晶体梁双局域化特性的能量采集装置。包括含缺陷声子晶体梁和压电材料,声子晶体梁为由两种材料单元在长度方向上周期交替排列组成的悬臂梁,所述的含缺陷声子晶体梁靠近固定端的材料单元中至少有一个存在缺陷,压电材料位于存在缺陷的材料单元上。本实用新型的能量采集装置利用声子晶体梁结构中点缺陷对弯曲波局域化的缺陷态特性和带隙将能量局域在前端(靠近振源)的双重局域效果,利用缺陷态频率下采集输出的最大功率远大于其他通带共振峰对应的最大输出功率的特效,压电材料的压电层受到机械应力输出交变电压,实现能量的采集。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种结构损伤检测系统
    16.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206725503U

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201720320424.5

    申请日:2017-03-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种结构损伤检测系统,包括待测周期结构、信号发生器或实时控制系统、电压放大器、压电叠堆陶瓷作动器、光纤光栅位移传感器、宽带光源、光纤光栅滤波器、光环行器A、光环行器B和光电二极管,利用健康声子晶体与其他外加结构组合成新的人工周期结构,通过新的人工周期结构的缺陷模式来判定外加结构的缺陷(损伤),当观测到带隙当中出现共振峰,即认为待测对象有损伤。根据带隙内通带的漂移情况来测量损伤的大小,为声子晶体缺陷模式的应用提供新的途径。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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