公开(公告)号：CN117790264A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410051787.8

申请日：2024-01-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  褚衍盟 ,  张哲宇

IPC: H01J31/50 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请提供一种探测系统，包括：光阴极、荧光屏和雪崩型探测器；入射光光子进入光阴极激发出光电子，向荧光屏发射，激发出特定波长的光子；特定波长的光子经雪崩型探测器探测，输出电信号；该电信号经一读出电路读取后通过简单计算即可获得光信号信息。本申请通过雪崩型探测器的引入，优化了探测系统的整体结构，无需采用较大的荧光屏像元和探测器像元。本发明还提供一种像增强器，采用优化后的探测系统结构，单个像元尺寸可以做到3um，像元面积小，成像分辨率高。

公开(公告)号：CN115359830B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202210822429.3

申请日：2022-07-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  黄平洋 ,  张哲宇 ,  张以纯

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/04

公开(公告)号：CN115373594A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210822408.1

申请日：2022-07-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  黄平洋 ,  张以纯 ,  张哲宇

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明提供一种双向动态切换的存储系统，包括N个存储单元。存储单元分为：至少对一类数据进行存储的一类单元，或，对二类数据进行存储的二类单元。所述一类单元的性能参数大于阈值Q，二类单元的性能参数小于等于阈值Q。本发明阈值Q配置成一动态阈值，使得一类单元的数量n不低于数量阈值p，解决了现有存储系统部分模块过度使用的问题，均衡了各存储单元的性能与寿命。

公开(公告)号：CN220233213U

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202320285518.9

申请日：2023-02-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  张哲宇 ,  褚衍盟

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224

Abstract: 本实用新型提供一种异质半导体器件，至少包括由第一半导体材料构成的第一部件和第二半导体材料构成的第二部件，第一部件和第二部件一般为层状结构(片状结构)；所述的第一部件和第二部件分别构成所述半导体器件的第一活性区域和第二活性区域；所述的第一部件和第二部件仅通过由第三半导体材料构成的第三部件连接，减少了界面面积，进而减少了缺陷数量，能减小器件噪声，提高信噪比。

公开(公告)号：CN222029040U

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202420080820.5

申请日：2024-01-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  褚衍盟 ,  张哲宇

IPC: H01J31/50 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请提供一种探测系统，包括：光阴极、荧光屏和雪崩型探测器；入射光光子进入光阴极激发出光电子，向荧光屏发射，激发出特定波长的光子；特定波长的光子经雪崩型探测器探测，输出电信号；该电信号经一读出电路读取后通过简单计算即可获得光信号信息。本申请通过雪崩型探测器的引入，优化了探测系统的整体结构，无需采用较大的荧光屏像元和探测器像元。本申请还提供一种像增强器，采用优化后的探测系统结构，单个像元尺寸可以做到3um，像元面积小，成像分辨率高。

公开(公告)号：CN220065721U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202320285564.9

申请日：2023-02-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  张哲宇 ,  褚衍盟

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

Abstract: 本实用新型涉及一种感光器件，借助光从光密介质到光疏介质的全反射避免光串扰，减少了像元隔离部件中金属填充物的深度，从而降低隔离部件的宽度，大大提高了保证了芯片尺寸的有效利用。具体的，本实用新型包括至少两个相邻像元，以及隔离所述两个相邻像元的隔离部件，所述隔离部件由介电材料构成，且所述介电材料中填充有金属，金属的填充深度基于全反射原理金属进行设置。通过本实用新型，可以减少DTI的宽度，从而提高了像元阵列的填充系数。且由于隔离区面积的减少，大大缩小了芯片面积。

公开(公告)号：CN220556596U

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202320285532.9

申请日：2023-02-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  褚衍盟 ,  张哲宇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232

Abstract: 本申请提供一种雪崩二极管，通过引入第三电极，对雪崩区和吸收区的电场的调控，可以增强或减弱吸收区或者雪崩区的电场。具体的，可以增强或者降低吸收区或者雪崩区的电场强度，从而增加光子的吸收效率或者电子的雪崩概率，提升雪崩二极管对光子的探测效率、降低暗电流。

公开(公告)号：CN218298696U

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202221604715.4

申请日：2022-06-24

Applicant: 浙江大学(CN)

Inventor： 程志渊 ,  崔钰莹 ,  陈露露 ,  张哲宇 ,  张以纯

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本实用新型公开了提出一种复振幅动态调制单元，包括调制模块，且所述调制模块组成闭环结构的复振幅动态调制单元；还包括：用于向调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质的激励模块。通过激励模块的控制，可以始终保持至少一个调制模块处于没有被激励的静默态，而其他的调制模块处于被激励的激活态。通过调控这种处理静默态的调制模块的数量、位置等，即可获得不同的开口方向、开口大小的C型分裂环谐振器,甚至得到其他不是C型结构的谐振器。更好的克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题和现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题，实现了复振幅调制具有更高精度和更少噪音的效果。本申请还提供一种复振幅动态调制器。