公开(公告)号：CN115924970B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211138317.2

申请日：2022-09-19

Applicant: 济南大学

Inventor： 郇宇 ,  王晓智 ,  魏涛

IPC: C01G33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及材料科学技术领域，具体涉及一种结晶性良好的铌酸钾超细纳米线及其制备方法。一种柔性铌酸钾纳米线，其特征在于，所述纳米线直径为5~30nm，所述纳米线的长度与直径的比值大于50。采用以下步骤：步骤1：称取五氧化二铌和氢氧化钾，加入水，混合均匀，使氢氧化钾的浓度为5~8.5mol/L；步骤2：步骤1制备的混合液加入反应釜中，体积填充量为85%~95%，密封，程序升温至180~240℃，保温8~16小时，冷却；过滤，洗涤，干燥。本发明制备的铌酸钾纳米线结晶性良好、直径仅约5~20纳米、长度数微米、纯度高、长径比大于50，在光波导、倍频、全息存储等领域都将获得广泛的应用。

公开(公告)号：CN116063076B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202310050479.9

申请日：2023-02-01

Applicant: 济南大学

Inventor： 郇宇 ,  魏涛

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明公开了一种多层无铅压电陶瓷，属于多层压电陶瓷技术领域。所述多层无铅压电陶瓷包括KNN基无铅压电陶瓷材料和Ni电极，所述KNN基无铅压电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.48Na0.52)(Nb0.96Ta0.04)‑xCaZrO3‑amol%MnCO3‑bmol%SnO2‑cmol%ZnO‑dmol%CuO，式中，0.03≤x≤0.05，0.01≤a≤0.5，0.01≤b≤0.5，0.01≤c≤0.5，0.1≤d≤5。所述多层无铅压电陶瓷通过制备无铅压电陶瓷粉料、制备陶瓷浆料、流延烘干、制备陶瓷膜带、丝网印刷金属Ni电机，再经叠片、温水等静压和切割，制得多层陶瓷生坯，再经排胶烧结，得多层无铅压电陶瓷。本发明制得的多层无铅压电陶瓷的单程位移可达662nm，压电常数最高可达2380pC/N，电容可达198nF，介电损耗不高于0.06。

公开(公告)号：CN116063076A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310050479.9

申请日：2023-02-01

Applicant: 济南大学

Inventor： 郇宇 ,  魏涛

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明公开了一种多层无铅压电陶瓷，属于多层压电陶瓷技术领域。所述多层无铅压电陶瓷包括KNN基无铅压电陶瓷材料和Ni电极，所述KNN基无铅压电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.48Na0.52)(Nb0.96Ta0.04)‑xCaZrO3‑amol%MnCO3‑bmol%SnO2‑cmol%ZnO‑dmol%CuO，式中，0.03≤x≤0.05，0.01≤a≤0.5，0.01≤b≤0.5，0.01≤c≤0.5，0.1≤d≤5。所述多层无铅压电陶瓷通过制备无铅压电陶瓷粉料、制备陶瓷浆料、流延烘干、制备陶瓷膜带、丝网印刷金属Ni电机，再经叠片、温水等静压和切割，制得多层陶瓷生坯，再经排胶烧结，得多层无铅压电陶瓷。本发明制得的多层无铅压电陶瓷的单程位移可达662nm，压电常数最高可达2380pC/N，电容可达198nF，介电损耗不高于0.06。

公开(公告)号：CN112374888A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011358350.7

申请日：2020-11-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 郇宇 ,  王晓智 ,  魏涛

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明属于电介质电容器材料领域，具体涉及一种通过水基包覆法提高铌酸钾钠基无铅陶瓷储能性质的方法。本发明的二氧化硅包覆的铌酸钾钠基陶瓷粉料采用工业原料经过固相法与水基包覆法获得，陶瓷样品的储能密度由电滞回线测试和计算得到。本发明首先通过元素掺杂降低了储能损耗，提高了储能效率，然后通过水基包覆二氧化硅提升了陶瓷材料的击穿强度，最终获得了超高的储能密度。本发明实现了一种简便且有效获得高储能密度与效率的铌酸钾钠基储能陶瓷材料制备方法，对其他体系的储能陶瓷材料的制备具有借鉴意义。

公开(公告)号：CN109503160A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811339783.0

申请日：2018-11-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 郇宇 ,  魏涛 ,  王振行

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可在还原气氛下烧结的铌酸钾钠基压电陶瓷组分及其制备方法。本发明所述的压电陶瓷的化学组成为Sn、Zr、Mn、Bi掺杂的(K,Na)NbO3压电陶瓷，其中各组分的摩尔百分数为：50%的Na，45–50%的K，90–100%的Nb，0–5%的Bi，0–1.0%的Sn，0–1.0%的Zr，0–0.5%的Mn。制备方法为：（1）称取原料，并行星球磨6–24小时；（2）将混合料烘干并在800–900℃下预烧5–6小时；（3）将步骤2中的粉体行星球磨12–24小时；（4）将步骤3的粉体压制成陶瓷圆形生坯；（5）将生坯在1050–1150℃保温1–3小时完成烧结，烧结气氛为体积分数95–99%的氮气和1–5%的氢气。本发明制备的陶瓷致密度高，压电系数可达350pC/N，1kV/mm下的绝缘电阻率可达398GΩcm。

公开(公告)号：CN109467129A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201910038561.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 魏涛 ,  尹宝熠 ,  王闫锋 ,  郇宇 ,  卢彦谚

IPC: C01G45/02 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种通过气体提高花状的二氧化锰超级电容器电极材料的制备方法，将高锰酸钾溶解于去离子水中，缓慢加入浓硫酸，在磁力搅拌器上搅拌，将混合溶液倒入50ml聚四氟乙烯反应釜中，热处理一定时间，得到的前驱体溶液经过去离子水和无水乙醇离心洗涤，置于烘箱中烘干，将烘干后的材料置于马弗炉中通入纯氢气加热，最终获得通过气体提高花状的二氧化锰超级电容器电极材料。