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公开(公告)号:CN114674892B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202210268552.5
申请日:2022-03-18
Applicant: 济南大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/416 , G01N33/542 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种上转换材料结合信号猝灭传感器件的构建方法,首先合成了可以被近红外光激发的有良好光电化学信号的NaYF4:Yb,Er@Bi2MoO6@Bi,其中,NaYF4:Yb,Er作为上转换材料的一种,具有优异的透光性、低光损伤性、高光稳定性;同时在NaYF4:Yb,Er@Bi2MoO6@Bi中,等离子体Bi作为光集中器和能量输送器,可以有效地提高上转换系统的吸收截面和界面能;该传感体系使用近红外光激发,近红外光具有低的光毒性和腐蚀性,光漂白最小的优点;另外在二抗上面修饰了Au@CeO2作为信号放大载体,随着二抗标记物Au@CeO2的引入带来的空间位阻效应能有效阻碍电子传递,降低光电流,同时Au@CeO2也可以作为模拟过氧化物酶,有效催化4‑氯‑1‑萘酚产生相应的沉淀,进一步降低光电流,提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号:CN114674894A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210268650.9
申请日:2022-03-18
Applicant: 济南大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/416 , G01N33/542 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种基于GQDs@ZIF‑8作为信号猝灭器传感器的构建方法,首先合成了Bi4NbO8Cl/SnIn4S8异质结,其中Bi4NbO8Cl作为一种硅基钙钛矿,具有可见光吸收性能,具有良好的稳定性和耐水性,并且[Bi2O2]和[NbO4]层序的分层结构使得Bi4NbO8Cl的载流子能够快速迁移;因为合适的能带位置,构建Bi4NbO8Cl/SnIn4S8异质结可以有效的提高电荷分离效率。另外二抗上面修饰GQDs@ZIF‑8多面体作为信号猝灭剂,不仅可以通过空间位阻效应抑制ITO/Bi4NbO8Cl/SnIn4S8电极的光电流信号,还可以作为过氧化物酶的模拟物催化4‑氯‑1‑萘酚的沉淀反应,导致光电流信号明显降低来达到提高传感器灵敏度的效果。
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公开(公告)号:CN114674893A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210268556.3
申请日:2022-03-18
Applicant: 济南大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N33/535 , G01N33/542 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种基于二维异质结与纳米酶结合传感器的构建,首先合成了具有良好光电化学信号的Ti3C2/MgIn2S4,这个材料是拥有大比表面积的二维花状结构,能够有效的增加抗体生长的区域,同时Ti3C2为一种新型的类金属性质的二维材料,其在MgIn2S4之间形成肖特基势垒,有效的避免了电子和空虚的复合,因此可以为传感器的构建提供稳定的光电流信号;另外在二抗上面修饰了ZnMOF酶作为信号放大载体,随着二抗标记物ZnMOF酶的引入带来的空间位阻效应能有效阻碍电子传递,降低光电流,同时ZnMOF纳米酶也可以作为模拟过氧化物酶,有效催化4‑氯‑1‑萘酚产生相应的沉淀,进一步降低光电流,提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号:CN114674892A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210268552.5
申请日:2022-03-18
Applicant: 济南大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/416 , G01N33/542 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种上转换材料结合信号猝灭传感器件的构建方法,首先合成了可以被近红外光激发的有良好光电化学信号的NaYF4:Yb,Er@Bi2MoO6@Bi,其中,NaYF4:Yb,Er作为上转换材料的一种,具有优异的透光性、低光损伤性、高光稳定性;同时在NaYF4:Yb,Er@Bi2MoO6@Bi中,等离子体Bi作为光集中器和能量输送器,可以有效地提高上转换系统的吸收截面和界面能;该传感体系使用近红外光激发,近红外光具有低的光毒性和腐蚀性,光漂白最小的优点;另外在二抗上面修饰了Au@CeO2作为信号放大载体,随着二抗标记物Au@CeO2的引入带来的空间位阻效应能有效阻碍电子传递,降低光电流,同时Au@CeO2也可以作为模拟过氧化物酶,有效催化4‑氯‑1‑萘酚产生相应的沉淀,进一步降低光电流,提高传感器的灵敏度。
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