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公开(公告)号：CN104810378B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510099725.5
申请日：2015-03-08
Applicant: 河南理工大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片，包括自下而上的顺序依次设置的GaAs衬底、由在金薄膜中刻蚀出M×N个凹字型光栅孔，并在光栅孔中填充GaAs构成的透射光栅、n型GaAs下接触层、金/锗/镍合金公共下电极、M×N个像元、二氧化硅钝化层；像元包括自下而上的GaAs/AlGaAs多量子阱层、n型GaAs上接触层、金反射层、金/锗/镍合金上电极。本发明采用分子束外延方法和常规半导体工艺将凹字型光栅孔构成的透射光栅置于多量子阱层的底部，既提高了量子阱红外焦平面光敏元芯片的光耦合效率和探测率，又减小了像元的尺寸，提高了光敏元芯片的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN104810378A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510099725.5
申请日：2015-03-08
Applicant: 河南理工大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片，包括自下而上的顺序依次设置的GaAs衬底、由在金薄膜中刻蚀出M×N个凹字型光栅孔，并在光栅孔中填充GaAs构成的透射光栅、n型GaAs下接触层、金/锗/镍合金公共下电极、M×N个像元、二氧化硅钝化层；像元包括自下而上的GaAs/AlGaAs多量子阱层、n型GaAs上接触层、金反射层、金/锗/镍合金上电极。本发明采用分子束外延方法和常规半导体工艺将凹字型光栅孔构成的透射光栅置于多量子阱层的底部，既提高了量子阱红外焦平面光敏元芯片的光耦合效率和探测率，又减小了像元的尺寸，提高了光敏元芯片的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN109932346A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910135744.7
申请日：2019-02-22
Applicant: 河南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法。制作方法包括：制备表面量子点湿度传感层，包括：在GaAs衬底上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、InGaAs表面量子点层；对表面量子点湿度传感层进行刻蚀，在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，形成沉积钝化层；在钝化层上进行光刻，腐蚀两个引线孔，在两个引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni；在InGaAs表面量子点层的露出的上表面一端，制备OLED光源层。
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公开(公告)号：CN109538432A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910068739.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 河南理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种无中和器的螺旋波等离子体推进装置，包括工质供应单元和螺旋波等离子体源，所述螺旋波等离子体源包括放电室、电磁线圈、陶瓷套筒和螺旋波激发天线，所述螺旋波激发天线与射频功率源相连且套设于放电室前部外侧，所述螺旋波激发天线和其所在位置的放电室位于陶瓷套筒内部，所述电磁线圈套设于陶瓷套筒外部；所述放电室前端设有与工质供应单元相连通的气体入口，放电室后端依次设有加速栅极和减速栅极，所述加速栅极通过电容与射频电源串联。本申请的有益效果为：等离子体的产生和加速均没有电极烧蚀，同时兼顾了等离子体电离度高的优点，并且和传统的磁喷管式推力器相比，比冲更高，推力更大，性能更好。
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公开(公告)号：CN112253413B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011239886.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 河南理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及航天器推进技术领域，公开了一种电感耦合双级等离子体推力器，包括内壁和氧化铝外壁，所述内壁为一端封闭的圆筒状派热克斯耐热玻璃管，所述内壁内设置有射频源，所述射频源包括裸铜线线圈、铁氧体柱、两个铁氧体盘和两个永磁铁环；所述外壁前部为圆筒状通道，后部为前小后大的锥筒状；所述外壁的后部内部设有阳极，所述外壁前部外侧以及外壁后部外侧的尾部分别设有两个轴对称设置的永磁铁块；所述外壁前方一侧设有阴极；所述射频源的频率为4MHZ。本申请的有益效果为：根据需求，可以实现高推力或高比冲运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112727720A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110028780.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 河南理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及航天技术领域，提供一种基于旋转磁场加速的无电极等离子体推力器，包括中空的壳体和工质基座，工质基座中心设有工质进入孔，工质基座密封固定设置于壳体前部的端部，壳体前部周向外壁上缠绕有射频线圈；壳体后部周向外壁沿轴线方向上设有多个等距永磁体环，多个永磁体环的磁场方向相同；壳体后部外侧周向设有围绕壳体后部的四个轴向线圈，两组轴向线圈分别输入相位差为90°的射频电流。本申请的等离子体推力器整体结构相对比较简单，具有放电气压低，等离子体密度高、均匀性好的优势。
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公开(公告)号：CN107051601B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710417917.5
申请日：2017-06-06
Applicant: 河南理工大学
Abstract: 本发明属于核酸检测装置技术领域，具体公开了一种基于石墨烯场效应管的核酸检测微流控芯片及制备方法。包括基底和微流通道片，所述基底上设置有源极、漏极、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间连接有石墨烯层，所述石墨烯层的上表面修饰有纳米金颗粒，所述微流通道片覆盖在所述石墨烯层上方，所述微流通道片上设置有微流通道、进液口、出液口和电极插口，所述电极插口插接有金属电极丝。该微流控芯片灵敏度高，有效减少了基因样品的用量，并且检测芯片体积微小、易于携带，避免了外界环境的干扰，灵敏度高。
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公开(公告)号：CN213392530U
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202022576526.8
申请日：2020-11-09
Applicant: 河南理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本实用新型涉及航天器推进技术领域，公开了一种电感耦合双级等离子体推力器，包括内壁和氧化铝外壁，所述内壁为一端封闭的圆筒状派热克斯耐热玻璃管，所述内壁内设置有射频源，所述射频源包括裸铜线线圈、铁氧体柱、两个铁氧体盘和两个永磁铁环；所述外壁前部为圆筒状通道，后部为前小后大的锥筒状；所述外壁的后部内部设有阳极，所述外壁前部外侧以及外壁后部外侧的尾部分别设有两个轴对称设置的永磁铁块；所述外壁前方一侧设有阴极；所述射频源的频率为4MHZ。本申请的有益效果为：根据需求，可以实现高推力或高比冲运行。
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公开(公告)号：CN208441977U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201820940785.4
申请日：2018-06-19
Applicant: 河南理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本实用新型提供了一种三级加速式等离子推进装置，包括加速管，设于加速管前端的等离子源，以及设于加速管后端的喷管，所述加速管沿外圆周设有电磁线圈，电磁线圈的后部设有石墨电极，喷管外圆周设有超导线圈，所述电磁线圈外部设有第一屏蔽层，石墨电极外部设有第二屏蔽层，超导线圈外部设有第三屏蔽层；所述第一屏蔽层和第三屏蔽层均为铁制壳体，所述第二屏蔽层为铝制壳体。本实用新型的三级加速式等离子推进装置在现有技术的基础上，针对磁场源和电场源设置相应的屏蔽层，减少各磁场源和电场源之间的相互影响，从而有利于形成稳定的轴向磁场和旋转电场，减少等离子流体的湍流现象，提高加速效果。
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公开(公告)号：CN214196571U
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202120062832.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 河南理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本实用新型涉及航天技术领域，提供一种基于旋转磁场加速的无电极等离子体推力器，包括中空的壳体和工质基座，工质基座中心设有工质进入孔，工质基座密封固定设置于壳体前部的端部，壳体前部周向外壁上缠绕有射频线圈；壳体后部周向外壁沿轴线方向上设有多个等距永磁体环，多个永磁体环的磁场方向相同；壳体后部外侧周向设有围绕壳体后部的四个轴向线圈，两组轴向线圈分别输入相位差为90°的射频电流。本申请的等离子体推力器整体结构相对比较简单，具有放电气压低，等离子体密度高、均匀性好的优势。
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