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公开(公告)号:CN109365001A
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201811085326.3
申请日:2018-09-18
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体量子点,特指一种Ag-In-Zn-S/CQDs异质结材料的合成方法。称取硝酸银、硝酸铟、二水合乙酸锌溶于去离子水中搅拌溶解直到得到澄清溶液。将混合配体三巯基丙酸(MPA)和L-半胱氨酸(Cys)溶于水溶液中溶解,再加入到澄清溶液中得到混合溶液,用NaOH溶液调节混合溶液的pH值,接着加入硫代乙酰胺超声搅拌,之后加入不同量的碳量子点,然后水热反应,反应结束后经过离心干燥,通过选择碳量子点的负载量和水热反应温度得到不同光催化性能的Ag-In-Zn-S/CQDs异质结材料。