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公开(公告)号：CN113270723A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110620577.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种类矩形腔体馈电的超材料结构天线，所述腔体波导的侧方开设有贯通的长缝隙，所述匹配段和所述相位梯度超表面均嵌设在所述长缝隙内，所述腔体波导、所述匹配段和所述相位梯度超表面的中线重合，电磁能量主要通过腔体波导两侧长缝隙进行辐射，通过辐射出来的能量来激励相位梯度超表面，再通过超表面单元辐射的原理，设置相位梯度的方向与能量辐射的方向相反，从而使得相位梯度超表面向自由空间辐射能量，通过调整超材料单元的排布即可任意控制波束的角度。所述类矩形腔体馈电的超材料结构天线结构较为简单，且易于加工，既能实现天线的高增益，又能扩展天线的带宽。
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公开(公告)号：CN113745835A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111060646.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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公开(公告)号：CN113594662A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110825514.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工磁材料定向辐射的纽扣天线，所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质相对设置，所述底部圆形介质、所述金属柱、所述介质柱和所述顶部圆形介质依次连接，呈工字纽扣形状设置，所述AMC结构设置在所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质之间，相对于现有技术，该天线实现了整体高度为10mm的纽扣型结构，且在不额外增加纽扣天线横向尺寸的条件下，通过添加所述AMC结构使纽扣天线由原来的全向辐射变为了定向辐射，并提高了可穿戴纽扣天线的增益。
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公开(公告)号：CN111682313A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010637237.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。
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公开(公告)号：CN111682312A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010636765.X
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种沿E平面非对称切割的贴片天线，包括介质基板、位于介质基板上表面的第一金属层、位于介质基板下表面的第二金属层、从介质基板的下表面穿过第二金属层和介质基板对第一金属层进行馈电的同轴馈电输入端，第一金属层具有两个矩形切割缝隙，两个矩形切割缝隙非对称分布于第一金属层宽度中轴线的两侧，通过调整贴片尺寸和位置可以实现双频、宽频和波束扫描功能，相对于现有技术，该天线结构简单，其仅在常规微带贴片天线基础上进行非对称切割处理，便能够实现双频带、宽频带特征和波束扫描功能，结构简单，易于加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111682311A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010635180.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。
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公开(公告)号：CN216251139U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122188502.X
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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公开(公告)号：CN213584169U
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202022569668.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种侧馈式的窄地面宽频带贴片天线，通过调整所述金属地面的宽度可以调整天线带宽，所述金属地面宽度越窄带宽越宽，在所述金属地面的一定范围内均可实现天线的超宽带特征，在带宽范围内，H面图的波束宽度得到充分展宽，在某些频点呈现近全向特征，同时通过调整所述金属地面和所述介质层的长度可以使E面图实现多波束；另外，相较于常规同类贴片天线，可以通过减小所述介质板尺寸实现天线小型化设计。本实用新型可经过相应调整，解决了现有技术中的贴片天线应用领域窄的技术问题。
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公开(公告)号：CN212571347U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021285150.9
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212571346U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021284567.3
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种沿E平面非对称切割的贴片天线，包括介质基板、位于介质基板上表面的第一金属层、位于介质基板下表面的第二金属层、从介质基板的下表面穿过第二金属层和介质基板对第一金属层进行馈电的同轴馈电输入端，第一金属层具有两个矩形切割缝隙，两个矩形切割缝隙非对称分布于第一金属层宽度中轴线的两侧，通过调整贴片尺寸和位置可以实现双频、宽频和波束扫描功能，相对于现有技术，该天线结构简单，其仅在常规微带贴片天线基础上进行非对称切割处理，便能够实现双频带、宽频带特征和波束扫描功能，结构简单，易于加工。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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