公开(公告)号：CN107942220A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711035073.4

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  刘培 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  谢仕锋 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。

公开(公告)号：CN206422040U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720041157.8

申请日：2017-01-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  马磊 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  李琦 ,  王盛凯 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  肖功利 ,  傅涛 ,  李跃 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  刘洪刚

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。

公开(公告)号：CN207441658U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721409390.3

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吴磊 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  肖功利 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L21/20

Abstract: 本实用新型公开了一种键合晶圆的结构，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构为包括第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆位于第一晶圆的上方，所述第一晶圆与第二晶圆之间设置有中间层，所述中间层包括气体通道和三氧化二铝层，所述气体通道设置在三氧化二铝层内，且气体通道横向贯穿三氧化二铝层的技术方案，该键合晶圆的结构，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利