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公开(公告)号:CN113300122A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110621719.7
申请日:2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出的是一种基于双层石墨烯的高吸收率宽带可调的吸波器。其特征是:它由底层金属板(1)、介质材料1(2)、中间风车和方形环状的石墨烯层(3)、介质材料2(4)以及顶层无图案石墨烯层(5)组合而成,各层之间紧密贴合。本发明针对现有吸波器吸收效率低、吸收带宽窄的缺点,利用三维仿真软件CST STUDIO SUITE 2019进行分析仿真,得到吸波器的吸收频谱,执行了99%的高吸收率参考标准,在此标准下,利用双层石墨烯做到了1.3THz左右的吸收带宽,大大提高了99%以上吸收率的工作带宽。该吸波器具有结构简单、便于集成、偏振不敏感的特点,属于太赫兹超材料吸波领域,可广泛运用于各种太赫兹开关、调制器设计、功率采集等各个相关方向。
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公开(公告)号:CN113300122B
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202110621719.7
申请日:2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出的是一种基于双层石墨烯的高吸收率宽带可调的吸波器。其特征是:它由底层金属板(1)、介质材料1(2)、中间风车和方形环状的石墨烯层(3)、介质材料2(4)以及顶层无图案石墨烯层(5)组合而成,各层之间紧密贴合。本发明针对现有吸波器吸收效率低、吸收带宽窄的缺点,利用三维仿真软件CST STUDIO SUITE 2019进行分析仿真,得到吸波器的吸收频谱,执行了99%的高吸收率参考标准,在此标准下,利用双层石墨烯做到了1.3THz左右的吸收带宽,大大提高了99%以上吸收率的工作带宽。该吸波器具有结构简单、便于集成、偏振不敏感的特点,属于太赫兹超材料吸波领域,可广泛运用于各种太赫兹开关、调制器设计、功率采集等各个相关方向。
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公开(公告)号:CN113161763A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110421870.6
申请日:2021-04-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的全介质太赫兹可调谐吸波器,属于太赫兹吸波领域,在4.5THz左右吸收率达到99.6%。特征是:所设计吸波器从上至下依次是一层图案化的石墨烯层(1‑4),一层介质层薄膜(5),五层砷化镓(6‑10)和四层聚酰亚胺介质(11‑14)交替组成的高反射层。其中,高反射层的厚度和折射率由多层电介质层的相位差和特征矩阵法得到;使用时域有限积分法,得到结构的吸收频谱;最后,通过参数化扫描优化模型的结构材料。本发明结构简洁、便于加工、吸收率高、没有任何金属损耗且可动态调节吸波器吸收频率,为全介质可调吸波器的设计提供了一种思路,减少了传统吸波器金属衬底加热和高损耗的问题,可广泛运用于各种吸波器、调制器和探测器的设计。
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