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公开(公告)号：CN111359541B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置的方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90%的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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公开(公告)号：CN110128127B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201910582275.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3‑yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、u、m、t表示摩尔分数，且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05
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公开(公告)号：CN109234711B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811114750.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其步骤包括：1）制备ITO溶胶；2）在干净的基片上匀胶；3）干燥；4）真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC‑400，并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有（400）择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶‑凝胶技术实现了（400）晶面择优取向ITO薄膜的制备，具有工艺简单，成本低廉，易于实现工业化的特点，光电性能优异。
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公开(公告)号：CN109607597A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN109234711A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811114750.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其步骤包括：1）制备ITO溶胶；2）在干净的基片上匀胶；3）干燥；4）真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC-400，并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有（400）择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶-凝胶技术实现了（400）晶面择优取向ITO薄膜的制备，具有工艺简单，成本低廉，易于实现工业化的特点，光电性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110272270B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910582277.2
申请日：2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/26 , C04B35/622 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/43
Abstract: 本发明公开了一种具有低介电损耗及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其配方组成通式为(Bi1‑wMw)(Fe1‑tMe'''t)O3‑xBaTiO3+yBi(Me'0.5Me''0.5)O3+zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uNdCoO3+mP+nMnCO3，其中x、y、z、u、m、n、t、w表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN110128126B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910582274.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡‑锌钛酸铋‑铝酸铋高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3‑yBaTiO3‑zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tBiAlO3+mP+nMnCO3+2.5％Bi2O3，其中x、y、z、t、m，n表示摩尔分数，且0.6≤x≤0.8,0.15≤y≤0.3,0.05≤z≤0.15,0
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公开(公告)号：CN108821331B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110272270A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910582277.2
申请日：2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/26 , C04B35/622 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/43
Abstract: 本发明公开了一种具有低介电损耗及高温稳定性的铁酸铋-钛酸钡基高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其配方组成通式为(Bi1-wMw)(Fe1-tMe'''t)O3-xBaTiO3+yBi(Me'0.5Me''0.5)O3+zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uNdCoO3+mP+nMnCO3，其中x、y、z、u、m、n、t、w表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN110128128A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910582276.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋-铝酸铋-锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBi1.05FeO3-yBiAlO3+zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、CuO、Li2CO3中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、z、t、m表示摩尔分数，且0.50≤x≤0.80,0
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