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公开(公告)号：CN107829119B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710930981.3
申请日：2017-10-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ln2(OH)5NO3·nH2O稀土层状氢氧化物薄膜的直接制备方法。将Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005～1mol/L的稀土离子溶液，然后加入添加剂，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在工作电极上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，制得Ln2(OH)5NO3·nH2O薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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公开(公告)号：CN107829121A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710931271.2
申请日：2017-10-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种直接制备多元稀土层状氢氧化物薄膜的方法。将A(NO3)3·6H2O(A为La、Gd、Y中的一种)和Ln(NO3)3·H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005～1mol/L的稀土离子溶液，然后加入添加剂，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在工作电极上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，制得多元稀土层状氢氧化物薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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公开(公告)号：CN110724532B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910854708.6
申请日：2019-09-10
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D9/04
Abstract: 本发明提供了一种稀土钒酸盐薄膜及其制备方法和应用，属于无机非金属薄膜技术领域。本发明提供的稀土钒酸盐薄膜的制备方法，包括以下步骤：以稀土硝酸盐的水溶液作为电沉积溶液，采用脉冲电压沉积法制备得到稀土层状氢氧化物薄膜；将偏钒酸盐和水混合后调节pH值至7~12，得到偏钒酸盐溶液；将所述稀土层状氢氧化物薄膜浸没于所述偏钒酸盐溶液中，进行置换反应，得到稀土钒酸盐薄膜。本发明提供的制备方法反应条件温和、操作简单，制备得到的稀土钒酸盐薄膜平整且均匀，薄膜附着度高；薄膜微观形貌为纳米颗粒，颗粒细且均匀、晶形规整度高且发光性能好。
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公开(公告)号：CN107829120B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710930982.8
申请日：2017-10-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用LRH的煅烧记忆性制备片状稀土氧化物薄膜的方法。将La(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O或者Y(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005～0.5mol/L的溶液，加入添加剂，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在工作电极上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，制得LRH薄膜；最后将LRH薄膜置于通有氮气的管式炉中进行热处理，最终获得相应片状稀土氧化物薄膜。本发明操作简单，极大地简化了薄膜制备方法，同时利用LRH的煅烧记忆性获得二维形貌的稀土氧化物薄膜，并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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公开(公告)号：CN107557833B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710608253.0
申请日：2017-07-24
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Tb(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于通有氮气的管式炉进行热处理，制得Tb2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110699728B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910854690.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土三氟化物LnF3薄膜及其制备方法，包括以下步骤：以稀土硝酸盐的水溶液作为电沉积溶液，采用脉冲电压沉积法制备得到稀土层状氢氧化物薄膜；将氟化物溶解获得溶液，调节pH值；将所述稀土层状氢氧化物薄膜浸没于所述氟化物溶液中，进行置换反应，得到稀土三氟化物薄膜。本发明提供的制备方法反应条件温和、操作简单，制备得到的稀土三氟化物薄膜平整且均匀，薄膜附着度高，结晶性好。
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公开(公告)号：CN107572837B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710607613.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种Er2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Er(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得Er2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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公开(公告)号：CN107829121B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710931271.2
申请日：2017-10-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种直接制备多元稀土层状氢氧化物薄膜的方法。将A(NO3)3·6H2O(A为La、Gd、Y中的一种)和Ln(NO3)3·H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005～1mol/L的稀土离子溶液，然后加入添加剂，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在工作电极上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，制得多元稀土层状氢氧化物薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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公开(公告)号：CN107366009B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710606777.6
申请日：2017-07-24
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Dy2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Dy(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得Dy2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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公开(公告)号：CN107557833A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710608253.0
申请日：2017-07-24
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Tb(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于通有氮气的管式炉进行热处理，制得Tb2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
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