高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaSnO4

    公开(公告)号:CN106187156A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610569347.7

    申请日:2016-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaSnO4及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、BaCO3和SnO2的原始粉末按Li2BaSnO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1150℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1200~1250℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1250℃以下烧结良好,介电常数达到24.9~25.8,其品质因数Qf值高达82000-111000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    超低介电常数微波介电陶瓷Li2In4Ge3O13

    公开(公告)号:CN106242530A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610583410.2

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2In4Ge3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、In2O3和GeO2的原始粉末按Li2In4Ge3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到6.4~7.2,其品质因数Qf值高达79000-96000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2Ga4Ti3O13

    公开(公告)号:CN106187162A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610583721.9

    申请日:2016-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2Ga4Ti3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和TiO2的原始粉末按Li2Ga4Ti3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到22.2~23.1,其品质因数Qf值高达89000-115000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

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