公开(公告)号：CN101891474A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010223340.2

申请日：2010-07-08

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘来君 ,  吴枚霞 ,  杨曌 ,  方亮 ,  胡长征

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法。铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3，其中：0＜x＜0.2；x为摩尔分数。将碳酸钾、碳酸钠、二氧化钛、五氧化二铌、三氧化二铋，按化学计量比(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3(0＜x＜0.2；x为摩尔分数)配料，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序，最终制备具有高压电性能的钛酸铋钾钠铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明方法大大的提高了无铅压电陶瓷体系的压电性能、提高了材料的工艺稳定性，从成分和工艺两方面使铌酸钾钠体系的无铅压电陶瓷达到了实用化水平。

公开(公告)号：CN101880159A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010223379.4

申请日：2010-07-08

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘来君 ,  吴枚霞 ,  方亮 ,  杨曌 ,  胡长征

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种VB族元素掺杂CaCu3Ti4O12基压敏材料及制备方法。其化学组成通式为：CaCu3Ti4-xBxO12，其中：B为化学元素周期表中VB族元素的一种或者几种的组合，x＝0.001～1。将碳酸钙、氧化铜、五氧化二钒、五氧化二铌、五氧化二钽，按化学计量比CaCu3Ti4-xBxO12(x＝0.001～1；B为化学元素周期表中VB族元素的一种或者几种的组合)配料，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序，最终制备具有高介电常数和高压敏特性的钙铜钛氧基陶瓷。本发明通过采用了+5价元素部分取代+4价钛元素，补偿了烧结过程中铜离子和钛离子的化合价变化，导致电压梯度低和漏电流大。降低了材料的本征电导，提高了材料的电压梯度。

公开(公告)号：CN102503375B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201110296491.5

申请日：2011-09-30

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 廖维 ,  方亮 ,  吴枚霞 ,  刘勤文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷LiBa3-xSrxSb3Ti5O21及其制备方法。首先将纯度为99.9％以上的BaCO3、SrCO3、Li2CO3、TiO2与Sb2O3的原始粉末按LiBa3-xSrxSb3Ti5O21组成配料，其中：0≤x≤3；湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时，然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1100～1200℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，剂量占预烧粉末总量的2％～3％。本发明制备的陶瓷在1100～1200℃烧结良好，其介电常数达到30～40，品质因数Qf值高达54000～100000GHz，谐振频率温度系数小。

公开(公告)号：CN101773823B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010045606.9

申请日：2010-01-02

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吴枚霞 ,  方亮 ,  胡长征 ,  李纯纯

IPC: B01J23/20

Abstract: 本发明公开了一种可见光响应的复合氧化物光催化剂。复合氧化物光催化剂的化学组成通式为Ba3Li2Nb2-xTaxO9，其中0≤x≤2。1)将99.9％分析纯的化学原料BaCO3、Li2CO3、Nb2O5和Ta2O5，按Ba3Li2Nb2-xTaxO9化学式称量配料，其中0≤x≤2；2)将配好的原料混合，放入球磨罐中，加入氧化锆球和无水乙醇，球磨12h，混合磨细，取出烘干，过200目筛；3)将步骤(2)所得粉料在700-1000℃预烧，并保温8-10h，自然冷却至室温，然后粉碎使粒子直径变小，达到2μm左右。本发明制备的方法简单、成本较低，且所制备的光催化剂具有优良的催化性能，在可见光照射下具有分解有害化学物质的作用，且稳定性好。

公开(公告)号：CN102173764A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110006242.8

申请日：2011-01-11

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吴枚霞 ,  刘来君 ,  苏聪学 ,  黄延民 ,  方亮

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/624 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基多铁材料及其制备方法。铁酸铋基多铁材料的化学组成通式为：(1-x-y)BiFeO3-xLa0.67Ba0.33MnO3-yPbTiO3，其中：0＜x＜0.3，0＜y＜0.3，x，y为摩尔分数。用分析纯级的硝酸铁、硝酸铋、柠檬酸、硝酸镧、硝酸钡、硝酸锰、醋酸铅和钛酸丁酯为原料，按化学计量比为(1-x-y)BiFeO3-xLa0.67Ba0.33MnO3-yPbTiO3进行称量配料配料，经过溶解、调节pH值、制成溶胶、制成凝胶、干燥以及煅烧等工序，最终成分均匀的铁酸铋基陶瓷粉体。本发明方法通过与强铁磁材料和强铁电复合制备了具有漏电流低的高性能铁电-铁磁材料。

公开(公告)号：CN101891475A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010223390.0

申请日：2010-07-08

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘来君 ,  吴枚霞 ,  杨曌 ,  方亮 ,  胡长征

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷的制备方法。铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷，含有五氧化二铌、碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛、三氧化二铋，化学计量比为(1-x)[(Na0.5K0.5)NbO3]-x[(Bi0.5K0.5)TiO3]，其中：0.1＜x＜0.9，经过配料、高能球磨混料、预烧、冷等静压成型、高温烧结、打磨抛光以及溅射金电极工序，最终制备铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷。本发明还公开了上述由于采用了不同的元素配比，有效的改变了陶瓷的晶粒尺寸，制备出从微米级到纳米级一系列的电子陶瓷，从而也制备了不同压电和介电性能的电子陶瓷。本发明采用高能球磨方法以及恰当的化学配比，方法简单，成本适中，适合批量生产。

公开(公告)号：CN101891465A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010223376.0

申请日：2010-07-08

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘来君 ,  吴枚霞 ,  杨曌 ,  方亮 ,  胡长征

IPC: C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高压电常数锡钛酸锶钡系无铅压电陶瓷。组分为(Ba1-xSrx)(Ti1-ySny)O3，其中：0＜x＜0.30，0＜y＜0.30；用溶胶-凝胶法、固相反应法、湿化学溶液法、模板晶粒生长技术、反应模板晶粒生长技术制备或其他方法制备合成压电陶瓷。本发明配方制备的锡钛酸锶钡系无铅压电陶瓷具有非常良好的介电特性、高压电常数，与纯的钛酸钡陶瓷相比，压电常数可以提高2至3倍，与传统铅基压电陶瓷相比具有明显的优点，成分无铅，适合环境保护要求，此类无铅压电陶瓷非常适合于中、低温压电元器件应用。

公开(公告)号：CN101885607A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010223387.9

申请日：2010-07-08

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘来君 ,  吴枚霞 ,  杨曌 ,  方亮 ,  胡长征

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了锆钛酸钡-铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法。其化学组成通式为：(1-x-y)BaTiO3-xCaTiO3-yBaZrO3，其中：0＜x＜0.5，0＜y＜0.5；x、y均为摩尔分数。将碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化锆，按化学计量比(1-x-y)BaTiO3-xCaTiO3-yBaZrO3(0＜x＜0.5，0＜y＜0.5；x、y均为摩尔分数)配料，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序，最终制备具有高压电性能的锆钛酸钡钙基压电陶瓷。本发明方法大大的提高了无铅压电陶瓷体系的压电性能、提高了材料的工艺稳定性，从成分和工艺两方面使钛酸钡体系的无铅压电陶瓷达到了实用化水平。