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公开(公告)号：CN112368429A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980043090.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B29/16 , C23C16/02 , C23C16/455 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种即使在刚玉结构中也能够在工业上有利地形成减少了由于小面生长引起的位移等的缺陷的外延膜的成膜方法。在具有刚玉结构的晶体基板的晶体生长面上，直接或经由其他层形成外延膜时，使用在晶体生长面上形成有至少包括凹部或凸部的凹凸部的晶体基板，通过将含有金属的原料溶液雾化，使液滴飘浮，将得到的雾化液滴用载气运送到所述晶体基板附近，接着，在设为供给限速的条件下，使所述雾化液滴产生热反应来形成外延膜。
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公开(公告)号：CN119487988A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050521.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域的载流子密度低于所述第一区域的载流子密度，所述第二区域的至少一部分位于距离所述半导体层的上表面的深度为1.0μm以上的位置处。
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公开(公告)号：CN114836833B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210479527.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
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公开(公告)号：CN116583955A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180083250.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种防止电洞注入栅极绝缘膜的结构。本发明的半导体装置包含栅极绝缘膜、以接触所述栅极绝缘膜的方式配置的电洞阻挡层及以接触所述电洞阻挡层的方式配置的氧化物半导体层，所述电洞阻挡层设置于所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体层之间。
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公开(公告)号：CN112424948A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046773.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/861 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如，α型氧化镓等)作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112334606A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980043074.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B29/16 , C01G15/00 , C01G55/00 , C23C16/40 , C30B25/18 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种具有刚玉结构的外延膜，其具有优异的对于减少了由于小面生长引起的位移等缺陷的半导体装置等有用的晶体品质。一种结晶性氧化物膜，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域，晶体生长方向为c轴或大致c轴方向，并包括在c轴或大致c轴方向上延伸的位移线，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合。
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公开(公告)号：CN111357117A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074284.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性。提供一种半导体装置，至少包含一闸电极和一通道层，该通道层直接或隔着其他层，在该闸电极的侧壁形成通道，其中，该通道层的一部分或全部包含p型氧化物半导体(例如氧化铱)。
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公开(公告)号：CN119522636A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380050510.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H10D8/60 , H10D8/01 , H10D12/01 , H10D62/10 , H10D62/81 , H10D62/82 , H10D64/64 , H10D12/00 , H10D30/66
Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备耗尽层延伸的半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域在与所述半导体层的上表面垂直的截面中具有线状的晶体缺陷区域。
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公开(公告)号：CN118541811A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202380017083.2
申请日：2023-01-12
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，其尤其有用于功率器件，并且半导体特性优异。一种半导体装置，其特征在于，至少具备：n型氧化物半导体层；与所述n型氧化物半导体层形成主结的第一p型氧化物半导体层；以及空穴供给层，所述空穴供给层由不同于所述第一p型氧化物半导体层的第二p型氧化物半导体层构成。
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公开(公告)号：CN111357119B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880074220.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性。一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α‑Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。
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