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公开(公告)号:CN1823179A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200480020394.1
申请日:2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6),在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出,在每个露出的溅射面上选择多个位置,通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1,当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时,该结晶粒径的3维偏差为18%以下。A1=(Dmax-Dave)/Dave×100(%),B1=(Dave-Dmin)/Dave×100(%),Dmax:全部选择位置的结晶粒径D的最大值,Dmin:全部选择位置的结晶粒径D的最小值,Dave:全部选择位置的结晶粒径D的平均值。