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公开(公告)号：CN101599423B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200910141394.1
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , B24B29/02 , B08B3/02 , B05B3/12 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备：对基板(W)进行研磨的研磨部(3)；搬运基板(W)的搬运机构(5、6)；以及对研磨后的基板(W)进行清洗、干燥的清洗部(4)。清洗部(4)具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块(201A、201B、202A、202B)，通过多个搬运机器人(209、210)来搬运基板。
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公开(公告)号：CN102513920A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110447907.9
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。
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公开(公告)号：CN101096077B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200710136812.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)：和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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公开(公告)号：CN101599423A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910141394.1
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , B24B29/02 , B08B3/02 , B05B3/12 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备：对基板(W)进行研磨的研磨部(3)；搬运基板(W)的搬运机构(5、6)；以及对研磨后的基板(W)进行清洗、干燥的清洗部(4)。清洗部(4)具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块(201A、201B、202A、202B)，通过多个搬运机器人(209、210)来搬运基板。
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公开(公告)号：CN100466191C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200580037559.0
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101327573A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810131155.3
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号：CN101254586A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092011.1
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , B24B49/04 , B24B53/12
CPC classification number: B24B53/017 , B24B49/14 , B24B49/18
Abstract: 用于将基片例如半导体晶片抛光至镜面光洁度的抛光设备。抛光设备包括具有抛光面的抛光台、被构造成保持并将基片压靠在抛光面上的顶环、被构造成提升和降低顶环的顶环轴、以及被构造成检测顶环轴伸长的伸长检测装置。抛光设备进一步还具有被构造成在抛光时设置顶环的垂直位置并控制提升和降低机构以按设定垂直位置使顶环降低到预设抛光位置的控制器。控制器基于已经由伸长检测装置检测到的顶环轴的伸长来修正预设抛光位置。
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公开(公告)号：CN101045286A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089026.8
申请日：2007-03-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种基底夹持装置防止基底滑出并使得基底被稳定地抛光。该基底夹持装置具有：顶圈体，其用于夹持基底并将基底压在抛光表面上；以及挡圈，其用于压住所述抛光表面，所述挡圈布置在所述顶圈体的外圆周部分上；所述挡圈包括：由磁性材料制成的第一构件；以及在表面上布置有磁铁的第二构件，其与所述第一构件保持抵接。
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公开(公告)号：CN1748293A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003897.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。
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公开(公告)号：CN118809428A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410453591.1
申请日：2024-04-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种可抑制流体残留于工件的上表面，可将适当的力施加于工件来研磨工件的研磨方法及研磨装置。本研磨方法是，对第一压力室(25A)加压而使存在于工件(W)上表面与压力室(25A)之间的流体(Q)向外侧移动，并在压力室(25A)内形成了目标压力(TP1)以上的压力的状态下，对压力室(25B)加压，在压力室(25B)内形成比目标压力(TP1)低的压力(IP2)，由此使存在于工件(W)上表面与压力室(25B)之间的流体(Q)向外侧移动，在使流体(Q)从工件(W)排出之后，研磨工件(W)。
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