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公开(公告)号：CN108780817A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780013390.8
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。
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