公开(公告)号：CN102947937B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180028874.2

申请日：2011-06-02

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  松木英夫 ,  铃木巨裕 ,  石川刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题在于提高半导体装置的耐压特性。半导体装置具备包围元件区的终端区。在元件区内形成有主沟槽。在终端区内形成有包围元件区的终端沟槽。终端沟槽位于终端沟槽的最内周侧。在漂移区的表面上层叠有体区。主沟槽到达漂移区，并且在其内部形成有栅电极。终端沟槽到达漂移区。终端沟槽的侧壁和底面被氧化膜所覆盖。覆盖终端沟槽的底面的氧化膜的表面被埋入电极所覆盖。栅电压被施加于埋入电极。

公开(公告)号：CN103890954A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051533.1

申请日：2012-10-17

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  松木英夫 ,  铃木巨裕 ,  石川刚 ,  副岛成雅 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/047 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底，所述半导体衬底包括：体区域；漂移区；沟槽，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离。特定层配置在所述沟槽的底部上，并且它具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性。绝缘层覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁。导电部形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上。所述导电部被接合至所述特定层，且到达所述半导体衬底的所述表面。

公开(公告)号：CN102299180B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201110175094.2

申请日：2011-06-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本建策 ,  铃木巨裕 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  森本淳 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底(4)和电场末端部(13)。半导体衬底(4)包括衬底(1)、设置在所述衬底(1)的表面上的漂移层(2)以及设置在所述漂移层(2)的表面上的基极层(3)。所述半导体衬底(4)被划分为其中设置有半导体元件的单元区和包围所述单元区的外围区。基极部分(3)具有位于贯穿所述单元区和所述外围区的同一平面上的底面，并且提供位于所述外围区中的电场缓和层(3a)。所述电场末端部(13)包围所述电场缓和层(3a)的一部分和所述单元区，并且从所述电场缓和层(3a)的表面穿透所述电场缓和层(3a)到达所述漂移层(2)。