公开(公告)号：CN1258933A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN99127082.7

申请日：1999-12-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 金光贤司 ,  渡部浩三 ,  铃木范夫 ,  石冢典男

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种半导体集成电路器件及其制造方法。被元件隔离沟槽包围的有源区的衬底表面,在有源区的中心部分是水平面,但在有源区的肩部向着元件隔离沟槽的侧壁下降。该斜面包括两个具有不同倾斜角的斜面。靠近有源区中心部分的第一斜面较陡峭,靠近元件隔离沟槽侧壁的第二斜面比第一斜面平缓。有源区肩部的衬底表面完全变圆,没有尖角部分。

公开(公告)号：CN1553494A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200410059842.0

申请日：1999-12-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 金光贤司 ,  渡部浩三 ,  铃木范夫 ,  石冢典男

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：(a)形成在半导体衬底中的沟槽，以及(b)埋置在所述沟槽内的第一绝缘膜；其中，所述沟槽具有倾斜的表面，所述倾斜的表面和所述半导体衬底(1)的表面之间的第一边界部分是圆形的，以及所述倾斜的表面和所述沟槽的侧壁之间的第二边界是圆形的。被所述沟槽包围的有源区的衬底表面，在有源区的中心部分是水平面，但在有源区的肩部向着沟槽的侧壁下降。该斜面包括两个具有不同倾斜角的斜面。靠近有源区中心部分的第一斜面较陡峭，靠近元件隔离沟槽侧壁的第二斜面比第一斜面平缓。有源区肩部的村底表面完全变圆，没有尖角部分。

公开(公告)号：CN1230776A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN99104394.4

申请日：1999-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 在具有SGI构造的半导体元件中,在假定元件形成区域的宽度(有源区宽度)为D(微米),SGI的沟氧化量为T(微米)和沟的下端部分的曲率半径为R时,对D、T、R进行选择使得它们满足D