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公开(公告)号：CN101369401A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810168724.1
申请日：2004-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/32 , G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3266 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/04 , G09G2320/0223 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。
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公开(公告)号：CN1914552A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003270.7
申请日：2005-01-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/00 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05B33/14
Abstract: 在目前情形中，在制造过程大量使用了旋转涂敷的薄膜制备方法。随着将来基板尺寸的增大，使用旋转涂敷的薄膜制备方法在批量生产方面具有不利的方面，因为用于旋转大尺寸基板的机械装置变大并存在大量的材料溶液损耗或废液。根据本发明，在半导体装置制造过程中，通过小滴释放选择性地释放光敏导电材料溶液，选择性地曝光于激光等，并进行显影，由此可以实现精微导电图形。因为缩短了图形化过程并可减小导电图形制备过程中使用的材料量，本发明可以大幅减小成本。因此，本发明可以应用于制造大尺寸基板。
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公开(公告)号：CN1906528A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480040486.6
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1339 , H01L21/288
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13415 , G02F2001/136295 , H01L27/1292
Abstract: 当衬底变得更大时，制造时间由于重复薄膜形成和蚀刻而增加；蚀刻剂等的废物处理成本增加；以及材料效率显著降低。改进衬底和由液滴喷射方法形成的材料层之间粘合性的基础薄膜在本发明中形成。另外，本发明的液晶显示装置的制造方法包括不使用光掩模形成制造液晶显示装置所需的以下图案的至少一个步骤：由布线(或电极)图案、绝缘层图案代表的材料层图案；或形成另一个图案的掩模图案。
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公开(公告)号：CN1890788A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035990.7
申请日：2004-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786
Abstract: 可以想象的是，在制造大面积显示器中，信号被导线的电阻延迟的问题变得非常显著。本发明提供了一种使用适合于大尺寸衬底的通过微滴排放方法的制造过程。在本发明中，预先在衬底上形成增强粘附性的基层11(或者基底预处理)并形成绝缘膜之后，形成具有期望图案形状的掩模并通过使用该掩模形成期望的凹陷。在具有掩模13和绝缘膜制成的侧壁的凹陷中通过微滴排放方法填充金属材料，以形成嵌入导线(栅电极、电容器导线、引线等)。其后，通过平坦化处理使其平坦，例如挤压或者CMP处理。
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公开(公告)号：CN1890698A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035706.6
申请日：2004-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/3262
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够通过利用改进的材料以及通过简化的制造步骤来制造的显示器件，并且提供其制造技术。本发明的显示器件的一个特征是包括具有开口的绝缘层、形成在所述开口中的第一导电层、以及形成在所述绝缘层和第一导电层上的第二导电层，其中第一导电层比第二导电层更宽和更厚，以及其中通过喷溅含有导电材料的微滴来形成第二导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1871711A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031537.9
申请日：2004-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H05B33/10 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。
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公开(公告)号：CN1819273A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610059905.1
申请日：2006-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。
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公开(公告)号：CN1649454A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510007056.0
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0022 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L51/055 , H01L51/529
Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。
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公开(公告)号：CN102738180B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201210245865.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H04M1/02
Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。
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公开(公告)号：CN102496346B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110375144.1
申请日：2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/32 , H01L21/77 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/156 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。
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