公开(公告)号：CN110637109A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN103320762B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310093006.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社电装

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。