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公开(公告)号：CN112053706B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010980756.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供磁盘装置。实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其将所述盘区分为所述头相对于所述盘的圆周方向的斜交角在第1角度以内变化的第1区域和所述斜交角在从比所述第1角度大的第2角度到比所述第1角度以及所述第2角度大的第3角度变化的第2区域，所述盘的所述第2区域与所述第1区域相比热稳定性高。
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公开(公告)号：CN114121043A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011643239.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能提高写/读处理性能的磁盘装置和重写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在半径方向上与第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在半径方向的第1方向上与第1区域隔开间隙的位置、且是沿着第1方向从位于半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于半径方向的与第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；头，其对盘写入数据，从盘读取数据；以及控制器，其对在第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在作为与第1方向相反的方向的第2方向上偏置地进行重写。
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公开(公告)号：CN112053705A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010978869.9
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供磁盘装置。实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其与对所述盘的第2区域执行读取/写入处理的第2命令相比，优先处理对所述盘的第1区域执行读取/写入处理的第1命令。
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公开(公告)号：CN115731953A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210115930.6
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能抑制磁头的劣化来实现可靠性的提高的磁盘装置。根据实施方式，磁盘装置具有：自如旋转的盘状的记录介质(12)；磁头(16)，该磁头具有：具有向记录介质施加记录磁场的主磁极的写入头、辅助利用主磁极的磁记录的辅助元件、以及控制相对于记录介质的头斜度的多个热执行器；以及磁控制器(40)，该控制器具有检测头的劣化的检测部(46a、46c)，根据检测出的劣化，通过热执行器而使磁头的头斜度变化。
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公开(公告)号：CN110910909A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811553945.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 实施方式提供一种抑制磁通控制层的氧化且具有高可靠性的磁记录再现装置。实施方式的磁记录再现装置包括设置于主磁极与辅助磁极之间的磁通控制层和设置于辅助磁极的ABS的保护层。磁通控制层包括设置于第1导电层与第2导电层之间的、由包含Fe、Co或Ni中的至少1种的磁性材料形成的调整层，通过通电而产生自旋转矩，使调整层内的磁化的方向反转。施加于磁通控制层的电压Vb比由下式(1)表示的Vba低。Vba＝Vb0-a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110600061A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811449589.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/596
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高写入处理的性能的磁盘装置和写入处理方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是表示能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。
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公开(公告)号：CN109427349B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810010238.0
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够抑制再现信号质量的劣化并实现高记录密度化的磁头以及具备该磁头的盘装置。实施方式的磁头具有主磁极60、夹着写间隙WG与主磁极对向的写屏蔽件62、在主磁极的磁道宽度方向的两侧隔着间隙配置的侧屏蔽件63、在写间隙内设置在主磁极与写屏蔽件之间的磁性或非磁性的第1层80、以及设置在主磁极与侧屏蔽件之间的磁性或非磁性的第2层82。第1层80具有比第2层82的相对导磁率小的相对导磁率。
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公开(公告)号：CN111261198A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910634858.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种长期可靠性高的磁记录再现装置以及磁记录方法。实施方式涉及的磁记录再现装置具有磁头和控制磁头的悬浮高度的系统。该系统包括主控制部、测定磁通控制层的电阻值的电阻测定部、求出相对于初始电阻值的电阻值变化率的运算部、与电阻值变化率对应地决定记录用悬浮高度的决定部以及控制磁头的悬浮高度的悬浮高度控制部。
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公开(公告)号：CN109949833A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201810619813.7
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明涉及可以高记录密度化的磁记录装置。磁记录装置具备：具有矫顽力比5.2kOe大的磁记录层的磁盘和对磁记录层写入磁数据的记录头(58)。记录头具备磁道宽度方向的宽度为40～55nm的主磁极(60)、隔着16～18.5nm的写间隙(WG)与主磁极相对的写屏蔽件(62)和在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间的磁通控制层(80)。磁通控制层具有：以金属层形成的第1控制层(80a)；以磁性金属或者软磁性金属合金的任一方形成并层叠于第1控制层上的第2控制层(80b)；和通过选自Ta、Ru、Pt、W、Mo的组的至少1种或者包含至少1种的合金形成并层叠于第2控制层上的第3控制层(80c)。
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公开(公告)号：CN109427349A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810010238.0
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够抑制再现信号质量的劣化并实现高记录密度化的磁头以及具备该磁头的盘装置。实施方式的磁头具有主磁极60、夹着写间隙WG与主磁极对向的写屏蔽件62、在主磁极的磁道宽度方向的两侧隔着间隙配置的侧屏蔽件63、在写间隙内设置在主磁极与写屏蔽件之间的磁性或非磁性的第1层80、以及设置在主磁极与侧屏蔽件之间的磁性或非磁性的第2层82。第1层80具有比第2层82的相对导磁率小的相对导磁率。
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