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公开(公告)号:CN1627187A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN200410097003.8
申请日:2004-12-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种从用来制作在光刻工序中使用的光掩模的掩模数据中抽出危险图形的危险图形抽出方法,至少包括:以在上述掩模数据中作为判定对象的着眼部分为基准从上述掩模数据中抽出处于预定的范围内的周边部分的掩模数据,把构成上述周边部分的各个部分定义为参照部分,在上述光刻工序中,借助于模拟计算从上述各个参照部分发生的工序发生量,用上述工序发生量和上述着眼部分与上述参照部分间的距离进行预定的运算,进行在上述预定的运算中所得到的运算值在上述预定的范围内的面积分或与之等同的运算,计算工序影响因子量,上述工序影响因子量与预定的阈值进行比较。
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公开(公告)号:CN1499571A
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN200310113236.8
申请日:2003-11-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/82 , G03F1/00
CPC classification number: G03F1/36 , G06F17/5009 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明提供即便是在余裕度窄的光刻工序中也可以提高晶片的成品率,可以降低集成电路器件的造价的集成电路的图形设计方法。对用来设计集成电路的电路图形的第1设计数据之中的至少一部分的部分数据计算出来的在被处理衬底上进行的光刻工序的余裕度和在被处理衬底上实际上被认为是必要的光刻工序的余裕度进行比较。在所计算的光刻工序的余裕度比被认为是必要的余裕度小的情况下,使得在被处理衬底上的光刻工序的余裕度成为与被认为是必要的光刻工序的余裕度同等以上的大小那样地修正部分数据。用修正后的部分数据更新第1设计数据以制作第2设计数据。
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