公开(公告)号：CN113257947B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202010782829.7

申请日：2020-08-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 藤原真美 ,  鹰居直也 ,  田中和喜 ,  安住壮纪 ,  野口吉雄 ,  常盤豪

IPC: H01L31/153 ,  H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置，高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件，设置在上述受光元件的侧方，在上表面上设置有第1主端子以及控制端子，在下表面上设置有第2主端子，上述第1主端子与上述第1输出端子连接，上述控制端子与上述第2输出端子连接；第1电极板，上表面与上述第2主端子连接；以及密封部件，覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面中露出上述第1电极板的下表面。

公开(公告)号：CN114975299A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110811080.9

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井上一裕 ,  野口吉雄 ,  竹下笃史 ,  长内俊英

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

Abstract: 实施方式提供一种防止由内部应力引起的半导体芯片的破损的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：发光元件；受光元件；输入侧端子；开关元件；引线，包含安装有所述开关元件的安装底座及输出侧端子；以及树脂封装，将所述发光元件、所述受光元件、所述开关元件及所述安装底座封闭。所述受光元件以及所述开关元件在与从所述发光元件朝向所述受光元件的第一方向交叉的第二方向上并排。所述树脂封装包含：第一侧面，使所述输入侧端子延伸出；第二侧面，使所述输出侧端子延伸出；以及第三侧面，与所述第一侧面、第二侧面相连。所述开关元件位于所述第一、第二侧面之间的中央。所述安装底座与所述第三侧面相对，在所述第二方向上具有比所述输出侧端子的侧面的位置更靠近所述树脂封装的中心侧的侧面。

公开(公告)号：CN111211198A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910623904.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 藤原真美 ,  野口吉雄 ,  鹰居直也

IPC: H01L31/12

Abstract: 本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。