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公开(公告)号：CN101632068B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200880008447.6
申请日：2008-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
Abstract: 一种半导体存储装置包括：配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行：第一处理，用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中；第二处理，用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中；以及第三处理，用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
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公开(公告)号：CN101689140B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200980000136.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明的存储器系统包括：通过采用这样的非易失性半导体存储器和控制器来减少管理表创建所需的存储器的量，所述非易失性半导体存储器包括多个并行操作元件，所述多个并行操作元件分别具有多个物理块作为数据擦除的单位，所述控制器可以并行驱动所述并行操作元件并具有擦除次数管理单元，所述擦除次数管理单元以与并行驱动的多个物理块相关联的逻辑块为单位管理擦除次数。
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公开(公告)号：CN101681317B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980000143.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1435 , G06F11/1441 , G06F11/1471 , G06F11/1474
Abstract: 本发明提供一种即使在数据写入期间发生程序错误时也可确实地恢复管理信息的存储器系统。在对前日志的“日志写入(1)”之后，当在执行数据写入时发生程序错误(数据写入错误)时，所述存储器系统再次执行所述数据写入而不获取与数据重写处理对应的前日志。在结束所述数据写入之后，所述存储器系统在不产生后日志的情况下获取快照来替代所述后日志，且结束所述处理。
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公开(公告)号：CN101681315A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000135.5
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号：CN101681311A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000129.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/102 , G06F11/141 , G06F11/1443 , G06F11/1471 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/105 , G11C29/00
Abstract: 一种存储器系统包括易失性第一存储单元、设置有多个能够存储多值数据的存储器基元的非易失性第二存储单元，该存储器基元具有多个页，还包括在主机设备和第二存储单元之间利用第一存储单元进行数据传输的控制器。该控制器包括保存处理单元和损坏信息恢复处理单元，在数据以一次写入方式被写入第二存储单元之前，当数据被写入和被写入了数据的页相同的存储器单元的低阶页时，该保存处理单元备份该低阶页的数据；并且当该低阶页的数据损坏时，该损坏信息恢复处理单元使用所述备份数据恢复所述损坏数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101632068A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008447.6
申请日：2008-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
Abstract: 一种半导体存储装置包括：配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行：第一处理，用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中；第二处理，用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中；以及第三处理，用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
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公开(公告)号：CN100557570C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710161890.4
申请日：2007-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F9/5044
Abstract: 一种包括处理器单元和调度器的多处理器系统，该处理器单元包括：内核A，其包括用于改进数据处理的处理性能的第一处理机制和用于收集该数据处理中正在使用的或已使用的硬件资源的使用信息的PM单元；以及内核B，其具有与该第一处理机制采用相同处理系统并且在处理性能上次于该第一处理机制的的第二处理机制；该调度器将以前未被执行过的任务提供给内核A并且将将要重新执行的任务提供给处理器内核(A和B)之一以便执行该任务，通过参考在包括具有相同任务的多个任务的应用软件的执行时间、在PM单元中以前收集的该任务的硬件资源的使用信息，选择处理器单元。
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公开(公告)号：CN107918584A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710766838.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F11/36
CPC classification number: G06F3/04847 , G06F11/3688 , G06F11/3672
Abstract: 提供信息生成系统、装置、方法及计算机可读取的记录介质。易于观察地显示设定条件、处理结果。信息生成系统具有：受理部，受理由用户选择出的设定条件；以及生成部，生成用于生成显示图像的显示信息，在显示图像中，显示表示设定条件的一个以上的设定条件轴，在设定条件轴中，显示表示由受理部受理到的设定条件的具体值的第一值目标，在第一值目标之间，显示表示对应关系的关系目标。
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公开(公告)号：CN101681315B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980000135.5
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号：CN101681312B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980000131.7
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0647 , G06F3/065 , G06F3/0652 , G06F3/0685 , G06F11/1456 , G06F11/1469 , G06F11/1471 , G06F12/0246 , G06F2201/84 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G11C7/20 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/105
Abstract: 一种存储器系统包括管理信息恢复单元。该管理信息恢复单元参考在NAND存储器中的前日志和后日志来判定是否发生了短时中断。当前日志或后日志存在于NAND存储器中时，该管理信息恢复单元判定发生了短时中断。在这种情况下，管理信息恢复单元判定发生短时中断的时机，并且，在选择前日志或后日志用于恢复之后，管理信息恢复单元执行管理信息的恢复，将这些日志反映在快照上。此后，管理信息恢复单元对NAND存储器中的所有一次写入块应用恢复处理，再次取得快照，并且打开过去的快照和日志。
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