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发明公开
添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法有权

公开(公告)号：CN110904503A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910202118.5

申请日：2019-03-18

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 村上友佳子 , 平川雅章 , 植松育生

IPC: C30B29/06 , C30B33/10 , C23F1/24 , C23F1/08 , H01L21/306 , H01L21/67

Abstract: 本发明的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。一实施方式所涉及的添加剂为用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm2/g。固体状硅材料的表面的至少一部分被氧化。

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