公开(公告)号：CN118588751A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202310561593.8

申请日：2023-05-18

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 长井雅嗣 ,  佐藤慎吾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包含半导体层、第一～第二电极、控制电极和连接区域。半导体层包含第一～第三半导体区域。控制电极隔着绝缘膜与第一～第三半导体区域对置。连接区域位于第一电极与第一半导体区域之间，将第一电极与第一半导体区域电连接。连接区域包含选自由Ti、V、Cr、Zr、Mo、Hf、Ta和W组成的组中的至少一种第一金属元素与Si的化合物以及Pt与Si的化合物。连接区域包含与半导体层中的n型区域在第一方向上相邻的第一部分。第一部分中的第一方向的第一金属元素的浓度分布的峰值位置是第一部分中的第一方向的Pt的浓度分布的峰值位置与n型区域之间。

公开(公告)号：CN116266610A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202210801790.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 马场祥太郎 ,  雁木比吕 ,  加藤浩朗 ,  下村纱矢 ,  佐藤慎吾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 提供能够减少损耗的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、半导体部件、第1导电部件、连接部件、第1部件及绝缘部件。连接部件与第1导电部件电连接。第1部件设置于第3电极的第1电极部分与连接部件之间。第2导电区域在第1方向上的位置处于第3部分区域在第1方向上的位置与第1部件在第1方向上的位置之间。第1部件包含与第2导电区域所包含的元素不同的元素。