公开(公告)号：CN1244955C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN03146085.2

申请日：2003-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明的课题是提供防止因栅电极中的杂质扩散不充分引起的耗尽化且具有低电阻的和浅的杂质扩散层的MOS晶体管。解决方法是具有下述工序：在单晶的半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；在栅绝缘膜上形成由多晶导电膜构成的栅电极的工序；在栅电极中和与栅电极邻接或离开的半导体衬底的表面层中注入杂质的工序；在主要使在栅电极中已被注入的杂质扩散、同时抑制在半导体衬底的表面层中已被注入的杂质的扩散的的温度下进行热处理的第1热处理工序；以及在使半导体衬底中已被注入的杂质激活的温度下与第1热处理相比以高温短时间进行热处理的第2热处理工序。

公开(公告)号：CN1472780A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03146085.2

申请日：2003-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明的课题是提供防止因栅电极中的杂质扩散不充分引起的耗尽化且具有低电阻的和浅的杂质扩散层的MOS晶体管。解决方法是具有下述工序：在单晶的半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；在栅绝缘膜上形成由多晶导电膜构成的栅电极的工序；在栅电极中和与栅电极邻接或离开的半导体衬底的表面层中注入杂质的工序；在主要使在栅电极中已被注入的杂质扩散、同时抑制在半导体衬底的表面层中已被注入的杂质的扩散的温度下进行热处理的第1热处理工序；以及在使半导体衬底中已被注入的杂质激活的温度下与第1热处理相比以高温短时间进行热处理的第2热处理工序。