公开(公告)号：CN104934511A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510107845.5

申请日：2015-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤俊秀 ,  大野浩志 ,  布上真也

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施方案，半导体发光元件包括第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一绝缘部和第一导电层。第一电极包括第一区域和第二区域。第一半导体层与第一区域隔开，并包括第一部分和第二部分。第二部分和第一区域之间设置发光层。第二半导体层设置在发光层和第一区域之间。第二电极设置在第一区域和第二半导体层之间，以接触第二半导体层。第一绝缘部设置在第一区域和第二电极之间。第一导电层设置在第一部分和第一区域之间，并包括与第一部分相接触的接触部。

公开(公告)号：CN102623605B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210018042.9

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤俊秀 ,  岡俊行 ,  布上真也

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。

公开(公告)号：CN103296172A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310157655.5

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  佐藤泰辅 ,  伊藤俊秀 ,  冈俊行 ,  布上真也

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。