公开(公告)号：CN1215534C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02127569.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口直 ,  角田弘昭 ,  松野光一

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有衬底上表面，在其上形成一个器件；栅电极，具有相对于所说衬底上表面的相对表面，并通过栅绝缘膜与所说半导体衬底电绝缘；沟槽，穿过所说栅电极进入所说半导体衬底而形成，将所说衬底上表面的其它区与用于形成器件的器件区电隔离；第一边界端部，在所说半导体衬底的形成所说沟槽的一部分侧表面的衬底侧表面和所说衬底上表面之间限定该第一边界端部；第二边界端部，在所说栅电极的形成所说沟槽的另一部分侧表面的栅极侧表面和所说相对表面之间限定该第二边界端部；其中所说第一边界端部和所说第二边界端部具有曲率半径不小于30埃的球形形状。

公开(公告)号：CN1477701A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133093.2

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口直 ,  角田弘昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明的课题在于使层间绝缘膜的填埋不良不发生。在控制栅电极CG上形成的氧化硅膜206的侧壁部分上形成平缓形状的侧壁212。由于存在该侧壁212的缘故，在由控制栅电极CG和浮置栅电极FG构成的存储单元之间填埋层间绝缘膜150时，层间绝缘膜150容易进入，难以发生层间绝缘膜150的填埋不良。

公开(公告)号：CN1395292A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02127569.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口直 ,  角田弘昭 ,  松野光一

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有衬底上表面，在其上形成一个器件；栅电极，具有相对于所说衬底上表面的相对表面，并通过栅绝缘膜与所说半导体衬底电绝缘；沟槽，穿过所说栅电极进入所说半导体衬底而形成，将所说衬底上表面的其它区与用于形成器件的器件区电隔离；第一边界端部，在所说半导体衬底的形成所说沟槽的一部分侧表面的衬底侧表面和所说衬底上表面之间限定该第一边界端部；第二边界端部，在所说栅电极的形成所说沟槽的另一部分侧表面的栅极侧表面和所说相对表面之间限定该第二边界端部；其中所说第一边界端部和所说第二边界端部具有曲率半径不小于30埃的球形形状。