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公开(公告)号:CN102271761A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201080003834.8
申请日:2010-01-08
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61B18/203 , A61B2018/00452 , A61B2018/00476 , A61B2018/1807 , A61N5/0617 , A61N2005/0644 , A61N2005/0654
Abstract: 本发明提供一种光照射装置,其通过低输出光的照射不会给皮肤带来负担而能够容易地实现脱毛、抑毛。在本发明所涉及的光照射装置中具有:将波长400-1200nm的光以脉冲方式赋予的光源部;使由光源部赋予光的脉冲在离射出面规定的距离按0.2-10J/cm2的能量强度分布的导光部。
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公开(公告)号:CN101980748A
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200980110908.5
申请日:2009-03-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: A61N5/0617 , A61N2005/0654
Abstract: 一种调节毛发生长的发光装置包括装置主体、附加到装置主体上的发光单元、和用于将所述发光单元锁定到所述装置主体上的锁定单元。装置主体具有主电容器、装置主体连接器、电能开关、释放开关、和电能供应部。发光单元具有发光主体和发光主体侧连接器。更进一步说,调节毛发生长的发光装置包括释放约束机构,所述释放约束机构用于在电能开关处于通电位置的状态下阻止释放按钮释放对发光单元的锁定,在所述通电位置处电能供应部将电能供给到所述主要连接器,和通电约束机构,所述通电约束机构用于在发光单元从所述装置主体卸下的状态下阻止电能开关移动到通电位置。
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公开(公告)号:CN1886820A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200480034906.X
申请日:2004-10-27
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在红外辐射元件(A)中,绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上,其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率,加热层(3)形成于绝热层(2)上,其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率,用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成,且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源,有可能延长红外辐射源的寿命。
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