公开(公告)号：CN1728388A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510072638.7

申请日：2005-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥爪贵彦 ,  野吕文彦 ,  高桥信义

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于半导体存储装置，特别是对于同时设有逻辑区域、和具有扩散布线层结构的存储器区域的半导体存储装置中的栅极电极等的尺寸细微化，能够更进一步地降低栅极电阻值。半导体存储装置，具有：作为存储器区域的第1活性区域103，其中，该存储器区域，形成在半导体衬底101上，通过相互交叉的多个杂质扩散层(比特线)107和多个栅极电极(字线)105将分别含有存储器晶体管的多个存储器单元呈矩阵状设置而成。各存储器晶体管的栅极电极105，具有其上面的中央部从边缘部向上方突出的突出部分，在各存储器晶体管的栅极电极105中的突出部分的上面，分别形成有硅化物层109。