公开(公告)号：CN1739225A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002182.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  松原敦

IPC: H01S5/323

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。

公开(公告)号：CN1579040A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN02821679.2

申请日：2002-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  嵨本敏孝 ,  菅原岳

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/323

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/164 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III－V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III－V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III－V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III－V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III－V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。

公开(公告)号：CN1260594A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0