公开(公告)号：CN102124555B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201080002292.2

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中西和幸 ,  田丸雅规

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其布局能够可靠地抑制因光接近效应引起的栅极长度的偏差，并且可以实现自由的布局设计。单元(C1)的栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，其终端部(e1、e2、e3)的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。单元(C2)的栅极图案(G4)具有沿Y方向朝向单元(C1)延伸的突出部(4b)，该突出部(4b)构成了对置终端部(eo1、eo2、eo3)。对置终端部(eo1、eo2、eo3)与栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，并且对置终端部的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。

公开(公告)号：CN102687264A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080058540.5

申请日：2010-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田丸雅规 ,  中西和幸 ,  西村英敏

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/11898 ,  H01L2027/11866 ,  H01L2027/11881 ,  H01L2027/1189

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。

公开(公告)号：CN102334183A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201180000675.0

申请日：2011-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池上智朗 ,  中西和幸 ,  田丸雅规

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/11807

Abstract: 标准单元(C1)具有在Y方向上延伸、并且在X方向上以相同的间距配置的栅极图案(G1、G2、G3)，其各终端部(e1、e2、e3)在Y方向上处于相同的位置，并且在X方向上的宽度相同。二极管单元(C2)在Y方向上与标准单元(C1)相邻，并且除了具有作为二极管的功能的扩散层(D1～D10)之外，还具备与终端部(e1、e2、e3)相对置地配置的由栅极图案(G4、G5、G6)形成的多个对置终端部(eo1、eo2、eo3)。

公开(公告)号：CN101281906A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810091823.4

申请日：2008-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾添律子 ,  谷口博树 ,  西村英敏 ,  田丸雅规 ,  近藤英明

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种标准单元，其中，信号布线(11)沿第一方向延伸。信号布线(12、13)沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线(11)而对置。并且，信号布线(12、13)的布线宽度比信号布线(11)的布线宽度大。由此，对被布线端夹持的信号布线，防止由细部引起的断线，实现器件的制造成品率的提高。