公开(公告)号：CN103392381A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180067632.4

申请日：2011-06-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑川泰生 ,  平冈知己

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5209 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5225 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明的有机电致发光元件的制造方法，包括：第1工序，准备有机EL元件（1），有机EL元件（1）包括下部电极（31）、包含发光层（42）的有机层（40）以及上部电极（32），具有下部电极（31）与上部电极（32）短路的部分；和第2工序，照射激光以包围下部电极（31）与上部电极（32）短路的部分，使下部电极（31）或上部电极（32）的构成材料变质，并且在与由变质的部分包围的区域对应的下部电极（31）与上部电极（32）之间形成空间（80）。

公开(公告)号：CN102473737A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180003300.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑川泰生

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1233 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明的发光显示装置为了确保线性区域的TFT特性(导通电流)而采用侧接触构造，在构成开关晶体管的TFT中为了降低截止电流而使与源/漏电极对应的区域的半导体层(沟道层)厚，另一方面在构成驱动晶体管的TFT中为了得到导通电流而使与源/漏电极对应的区域的半导体层(沟道层)薄。并且，使用半色调掩模制造这些构造。由此，能够在开关晶体管中抑制截止电流、在驱动晶体管中确保导通电流。

公开(公告)号：CN102428510A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201180001814.1

申请日：2011-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小田原理惠 ,  濑川泰生

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0285 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/0295 ,  G09G2320/043 ,  G09G2360/145 ,  G09G2360/147

Abstract: 有机EL显示装置的制造方法包括：获得具有多个像素的显示面板的代表电流(I)-电压(V)特性的步骤S01，所述多个像素包含有机EL元件和驱动晶体管；将显示面板分割为多个分割区域，对于每分割区域求取根据各分割区域的辉度I-辉度(L)特性计算的发光效率以及偏移辉度值的步骤S02；测定各像素的发光辉度而求取各像素的L-V特性的步骤S03；通过将所述代表I-V特性的各电流值乘以发光效率并与偏移辉度值相加，而求取各分割区域的L-V特性的步骤S05；以及对各像素求取使各像素的L-V特性成为包含该像素的分割区域的L-V特性的校正参数的步骤S06。