公开(公告)号：CN100494520C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200580010595.8

申请日：2005-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  峯本尚 ,  北冈康夫 ,  木户口勲 ,  川村史朗 ,  佐佐木孝友 ,  高桥康仁

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/08

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。

公开(公告)号：CN1930327A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580008118.8

申请日：2005-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  峯本尚 ,  北冈康夫 ,  木户口勋 ,  川村史朗 ,  佐佐木孝友 ,  梅田英和 ,  高桥康仁

IPC: C30B9/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1064 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。