内部电压发生电路
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101625895B

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN200910158601.4

    申请日:2009-07-07

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: G11C16/30 G11C5/143 G11C5/145

    Abstract: 本发明提供一种内部电压发生电路,对于输出负载可以适当设定第1、第2升压电路的电流供给能力。按以下方式构成:将第2升压电路(101)与第1升压电路(901的输出端子连接,进而在起动后,可以降低第2升压电路(101)的升压时钟频率。由此,不仅可以缩短第2升压电路(101)的起动时间,还可以在起动后,增大第1升压电路(901)的电流供给能力。另外,在第2升压电路(101)驱动时,不会使第1升压电路(901)的输出电压发生瞬时变动,可以稳定提供第1和第2升压电路(901、101)的输出电压。

    电平移动电路
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1992525A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610064211.7

    申请日:2006-12-22

    Abstract: 提供一种单端输出形式的电平移动电路,可改善伴随低电压时的电压电平移动工作的延迟时间的增大并且还能抑制电路的占有面积增大。利用CMOS结构,设置单独驱动各MOS晶体管的栅极的类型的第1及第2倒相器(300、200),将第1倒相器(300)作为电平变换装置使用。利用电压控制电路(CONT1)强制地使从第1倒相器(300)的输出节点(no1)输出的第1控制信号(CS1)的电压电平下降,加速第2倒相器(200)的工作,其结果,加速第1倒相器(300)的输出信号的电平反转。此外,使各晶体管的电流能力的平衡最佳化,特别地,缩小构成第2倒相器(200)的晶体管的尺寸,抑制电路面积的增大。

    非易失性半导体存储器件和信号处理系统

    公开(公告)号:CN1905067A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200610076904.8

    申请日:2006-04-25

    CPC classification number: G11C16/0483 G11C16/0408 G11C16/06 G11C16/3459

    Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件和信号处理系统。存储程序等的代码闪速存储器和存储图像数据等的数据闪速存储器,对于读出和写入等分别具有不同的性能要求,所以以往由不同的芯片构成。这妨碍了需要两种闪速存储器的系统的低成本化和减小便携式系统的安装面积。本发明的非易失性存储器设置有:第1存储块(104),具有第1写入电平和第1读出装置;第2存储块(102),具有与上述第1写入电平不同的第2写入电平、与上述第1读出装置不同方式的第2读出装置,且与上述第1存储块形成在同一基板上;以及数据输出装置(128),选择上述第1读出装置或上述第2读出装置中的任意一者,将读出数据输出到外部。

    电平转换电路
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1234207C

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN200310104722.3

    申请日:2003-10-30

    CPC classification number: H03K17/102 H03K3/356113

    Abstract: 一种电平转换电路,包括:在第3晶体管的栅极和第2输出端子之间插入的由输入信号的反相信号控制的第1栅极电压控制电路;在第4晶体管的栅极和第1输出端子之间插入的由输入信号控制的第2栅极电压控制电路;第1晶体管;以及第2晶体管。当输入信号从“H”变到“L”时,第1晶体管处于截止状态,由第1栅极电压控制电路使第3晶体管处于导通状态,第1输出端子的电压上升。第2晶体管处于导通状态,由第2栅极电压控制电路使第4晶体管处于截止状态,第1输出端子的电压下降。可以实现特别是输入电压为低电压时可以实现高速动作、低耗电化的电平转换电路。

    开关电源装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103620939A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201280031003.0

    申请日:2012-06-29

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: H02M7/217 H02M1/34 H02M5/293

    Abstract: 本发明的实施方案之一涉及的开关电源装置(100)是被输入交流电压的开关电源装置,具备:变压器(Ta),具有一次绕组以及二次绕组;第一双向开关(Gt1),与所述一次绕组串联连接;以及缓冲电路(101),与所述一次绕组并联连接,所述交流电压,被施加到由所述一次绕组和所述第一双向开关构成的串联电路,所述缓冲电路,具有用于对所述第一双向开关(Gt1)进行控制的第二双向开关(Gt2)。

    升压电路
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102099991A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201080002123.9

    申请日:2010-05-12

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: H02M3/073 G11C16/10 G11C16/30 H02M2003/077

    Abstract: 本发明提供一种升压电路,在以2相时钟进行动作的升压电路为基础,将多个(M≥4)的升压部件列作为一个单元的升压电路中,第K列(1≤K≤M)升压部件根据第KA列((K-1)>0时KA=(K-1),(K-1)=0时KA=M)的升压部件的输入端子的电压进行控制。由此,在第K列升压部件中输入的时钟从“L”变化至“H”实施升压之前,能使电荷输送晶体管从导通状态变化至非导通状态,能够防止电荷经由电荷输送晶体管逆流。

    升压电路
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101005236B

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN200610064347.8

    申请日:2006-12-22

    CPC classification number: H02M3/073 H02M2003/075

    Abstract: 当抽出电荷转移晶体管的栅极电压时用于设置电压电平的抽出下限电压被提供给复位电路。为了确保在升压单元中使用的该晶体管和电容器的击穿电压裕度,不必恒定的电压被用作抽出下限电压。因此,可以提供稳定的升压电路,其中可设置电荷转移晶体管的最佳栅极电压电平,可抑制过充电,且可缩短升压电路的恢复时间。

    内部电压发生电路
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101625895A

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200910158601.4

    申请日:2009-07-07

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: G11C16/30 G11C5/143 G11C5/145

    Abstract: 本发明提供一种内部电压发生电路,对于输出负载可以适当设定第1、第2升压电路的电流供给能力。按以下方式构成:将第2升压电路(101)与第1升压电路(901的输出端子连接,进而在起动后,可以降低第2升压电路(101)的升压时钟频率。由此,不仅可以缩短第2升压电路(101)的起动时间,还可以在起动后,增大第1升压电路(901)的电流供给能力。另外,在第2升压电路(101)驱动时,不会使第1升压电路(901)的输出电压发生瞬时变动,可以稳定提供第1和第2升压电路(901、101)的输出电压。

    升压电路
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101005236A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200610064347.8

    申请日:2006-12-22

    CPC classification number: H02M3/073 H02M2003/075

    Abstract: 当抽出电荷转移晶体管的栅极电压时用于设置电压电平的抽出下限电压被提供给复位电路。为了确保在升压单元中使用的该晶体管和电容器的击穿电压裕度,不必恒定的电压被用作抽出下限电压。因此,可以提供稳定的升压电路,其中可设置电荷转移晶体管的最佳栅极电压电平,可抑制过充电,且可缩短升压电路的恢复时间。

Patent Agency Ranking