公开(公告)号：CN103026492B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN102576711B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080002870.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN103257742A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310061964.2

申请日：2013-02-19

Applicant: 松下液晶显示器株式会社

Inventor： 河内玄士朗 ,  喜田和夫 ,  小野记久雄

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G09G3/3611 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明提供一种嵌入式触摸屏，具有：第1基板；第2基板，其具有沿第1方向延伸的扫描信号线及沿第2方向延伸的视频信号线、被扫描信号线及视频信号线划分出的多个像素、按每个所述像素经由与所述扫描信号线连接的开关元件而连接在所述视频信号线上的像素电极、以及公共电极；液晶层；施加电路，其向沿所述第1方向或所述第2方向配置的多个激励电极施加交变信号；检测电路，其对与所述激励电极相邻地配置的多个检测电极所激发的信号进行检测；以及扫描电路，其至少对所述多个激励电极和所述多个检测电极中的任一方至少沿所述第2方向进行扫描。

公开(公告)号：CN102549636B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080002882.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN103081078A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040719.2

申请日：2011-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管的目的在于提供可以使优异的导通特性与优异的截止特性并存、电特性相对于源电极以及漏电极的调换成为对称的薄膜晶体管，具备：基板（100）；栅电极（110）；栅极绝缘层（120）；形成于栅电极（110）的上方的栅极绝缘层（120）上的结晶硅层（131）；形成于栅极绝缘层（120）上且结晶硅层（131）的两侧、膜厚比结晶硅层（131）的膜厚薄的非晶硅层（130）；形成于结晶硅层（131）上的沟道保护层（140）；源电极（171）以及漏电极（172）。

公开(公告)号：CN103038887A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180003938.3

申请日：2011-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件及其制造方法。本发明的薄膜半导体器件(10)具备：基板(1)；栅电极(2)，其形成在基板的上方；栅极绝缘膜(3)，其形成在栅电极上；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上，由多晶半导体层(4)形成；非晶半导体层(5)，其形成在沟道层上、并在表面具有凸形状；源电极(8S)和漏电极(8D)，其形成在非晶半导体层的上方，非晶半导体层(5)的沟道层侧的第一部分(51)的电阻率比非晶半导体层(5)的源电极及漏电极侧的第二部分(52)的电阻率小。

公开(公告)号：CN102959712A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180015805.8

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  川岛孝启 ,  钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/7866

Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。

公开(公告)号：CN102549636A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080002882.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN110476201B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201880020498.4

申请日：2018-01-31

Applicant: 松下液晶显示器株式会社

Inventor： 河内玄士朗 ,  天野邦晶 ,  桶隆太郎 ,  梶田大介

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20

Abstract: 显示装置包括：多个源极线；多个栅极线；源极驱动器；栅极驱动器；多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极与第一外部端子电连接，栅电极与第二外部端子电连接，源电极与第三外部端子电连接；基准晶体管，所述基准晶体管的漏电极与第四外部端子电连接，栅电极与第五外部端子电连接，源电极与第六外部端子电连接；以及检测部，其与所述第三外部端子及所述第六外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。

公开(公告)号：CN103109373B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180041844.5

申请日：2011-04-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。