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公开(公告)号：CN109086252B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810649310.4
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/18
Abstract: 本发明提出一种三基准体系下直径要素‑宽度要素基准组合遵循公差相关要求的检验公差带计算方法，包括：S1，对全部基准要素分别建立D_DFS和M_DFS；全部基准要素由一个平面要素、一个直径要素和一个宽度要素组成；S2，根据D_DFS构件建立设计坐标系，根据M_DFS构件建立测量坐标系；S3，根据D_DFS构件和M_DFS构件装配后存在的相对运动建立设计坐标系和测量坐标系的相对运动关系；根据相对运动关系，定义转移公差和被测要素检验公差带；S4，采用变长曲柄平行四边形机构和摆杆机构的串联组合表示设计坐标系相对于测量坐标系的最大相对运动关系，根据机构的结构参数和性能参数，计算所述被测要素检验公差带。本发明所述方法不仅局限于单一基准遵循相关要求下转移公差的计算，具有较高的理论意义和使用价值。
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公开(公告)号：CN106411299B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610852464.4
申请日：2016-09-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。
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公开(公告)号：CN108920794A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810649055.3
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种三基准体系下双直径要素基准组合遵循公差相关要求的被测要素检验公差带计算方法，包括：S1，对全部基准要素分别建立D_DFS和M_DFS；全部基准要素由一个平面要素和两个直径要素组成；S2，根据D_DFS建立设计坐标系，根据M_DFS建立测量坐标系；S3，根据D_DFS构件和M_DFS构件装配后存在的相对运动建立设计坐标系和测量坐标系的相对运动关系，以定义转移公差和被测要素检验公差带；S4，采用平行四边形机构和摆杆机构的串联组合表示设计坐标系相对于测量坐标系的最大相对运动关系，以计算所述双直径要素检验公差带；曲柄的长度为两个虚线圆与其相对应的实线圆的半径之差的较小值。本发明所述方法适用于多个基准遵循公差相关要求的转移公差的计算，具有较高的理论意义和使用价值。
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公开(公告)号：CN106531837B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201611245601.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了双结单光子雪崩二极管及其制作方法。现有双结结构光子探测效率低。本发明方法：对p‑衬底层掺杂形成p阱电荷层；p阱电荷层外端掺杂反型深n阱；反型深n阱内端掺杂p掺杂控制区域；反型深n阱外端掺杂n阱电荷层；n阱电荷层外围掺杂p‑型半导体层；n阱电荷层外端掺杂p+型光吸收层；阳极电极置于p+型光吸收层外端；p‑型半导体层外围掺杂n阱层和n+型半导体层，n+型半导体层掺入n阱层内；n+型半导体层外端设置阴极电极；反型深n阱外端掺杂p阱层和p+型半导体层，p+型半导体层掺入p阱层内；p+型半导体层外端设置GND电极。本发明具有实现短波/长波探测可调谐功能，且有更高的光子探测效率。
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公开(公告)号：CN117718851A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311498538.5
申请日：2023-11-10
Applicant: 大连理工大学 , 杭州电子科技大学 , 西南科技大学 , 海南大学 , 中建三局集团有限公司 , 中建三局集团(海南)有限公司
Abstract: 本发明提供一种大口径复合材料天线反射面原位磨抛装置及方法。本发明方法，包括低应力装夹模块、运动模块、加工模块、电器模块及循环模块；其中：低应力装夹模块用于实现天线反射面样件的低应力柔性装夹，所述加工模块用于通过加工工具实现天线反射面样件的加工，运动模块用于实现加工工具的空间运动，电器模块用于提供加工过程中所需的各种条件，所述循环模块用于微量润滑液的循环与过滤。该装置采用了雾化添加纳米颗粒的绿色润滑液的方法减少了润滑液的用量，降低了成本及环境污染；该装置通过利用改性低熔点石蜡的相变实现了大口径天线反射面样件的低应力柔性装夹，避免了大口径天线反射面样件的多次装夹与卸载导致的重复定位困难等难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108920794B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201810649055.3
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种三基准体系下双直径要素基准组合遵循公差相关要求的被测要素检验公差带计算方法，包括：S1，对全部基准要素分别建立D_DFS和M_DFS；全部基准要素由一个平面要素和两个直径要素组成；S2，根据D_DFS建立设计坐标系，根据M_DFS建立测量坐标系；S3，根据D_DFS构件和M_DFS构件装配后存在的相对运动建立设计坐标系和测量坐标系的相对运动关系，以定义转移公差和被测要素检验公差带；S4，采用平行四边形机构和摆杆机构的串联组合表示设计坐标系相对于测量坐标系的最大相对运动关系，以计算所述双直径要素检验公差带；曲柄的长度为两个虚线圆与其相对应的实线圆的半径之差的较小值。本发明所述方法适用于多个基准遵循公差相关要求的转移公差的计算，具有较高的理论意义和使用价值。
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公开(公告)号：CN108984850B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201810649338.8
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种三基准体系下两宽度要素基准组合遵循公差相关要求的被测要素检验公差带计算方法，包括：S1，对全部基准要素分别建立D_DFS和M_DFS；S2，根据所述D_DFS构件建立设计坐标系，根据所述M_DFS构件建立测量坐标系；S3，根据D_DFS构件和M_DFS构件装配后存在的相对运动建立设计坐标系和测量坐标系的相对运动关系；根据所述相对运动关系，定义转移公差和被测要素检验公差带；S4，采用双滑块和摆杆机构的串联组合表示设计坐标系相对于测量坐标系的最大相对运动关系，根据双滑块和摆杆机构的结构参数和性能参数，计算所述被测要素检验公差带。本发明所述方法适用于多个基准遵循公差相关要求的转移公差的计算，具有较高的理论意义和使用价值。
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公开(公告)号：CN106991765A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710102216.2
申请日：2017-02-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G07F17/12
Abstract: 一种机器人携带式智能派件箱，其安装于机器人的底板上，包括箱体，所述箱体由若干层存放物件的储物间组成，每层储物间内设有物件推送系统和监控物件安全性的状态监测设备，每层储物间上均铰接有上闭下开的自动开关箱门，所述自动开关箱门与箱体之间通过电磁锁来锁合，且所述自动开关箱门与带动其开闭的物件推送系统连接；所述箱体外设有控制打开电磁锁的提取码输入界面，所述提取码界面、电磁锁、物件推送系统、状态监测设备均与机器人的控制设备连接，所述机器人的控制设备与监控物件安全性和位置导航的管理中心通信连接。本发明大大提升物流派件的效率，降低物流的成本，促进物流和互联网经济的发展。
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公开(公告)号：CN106985924A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710103449.4
申请日：2017-02-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B62D57/02 , B62D57/024
CPC classification number: B62D57/02 , B62D57/024
Abstract: 本发明公开了一种复合轮式机器人行走机构，包括底盘、大功率电机、控制器和四个复合轮式机构，所述大功率电机固定于所述底盘上，所述复合轮式机构包括一个十字行星架、两个主动轮和两个从动轮，所述主动轮和所述从动轮间隔设于所述十字行星架的架杆端部，所述大功率电机通过传动机构驱动所述十字行星架，所述主动轮分别通过小功率电机驱动，所述底盘两侧相对的两个所述十字行星架之间通过同步轴连接，所述同步轴上设有电刷开关，所述电刷开关包括定子和转子，所述转子套设于所述同步轴上，所述定子通过导线连接所述控制器，所述转子通过导线连接所述小功率电机。本发明具有使用范围广，体积小，稳定性高，易于控制和生产，功能多样优点。
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公开(公告)号：CN106057958A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610648715.7
申请日：2016-08-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了单光子雪崩光电二极管及其制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法：硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺杂深n阱层；深n阱层外端掺杂第一p+型半导体层，第一p+型半导体层外侧掺杂p‑阱层；p‑阱层外周掺杂p‑型半导体层；p‑型半导体层外周掺杂n+型半导体层，n+型半导体层外周掺杂第二p+型半导体层；第一p+型半导体层和第二p+型半导体层外端均设置阳极电极，n+型半导体层外端设置阴极电极。本发明使雪崩光电二极管能够承受的最大反向偏置电压达到30.51V。
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