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公开(公告)号：CN114594120B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111653433.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202 , G01N23/2273 , G01N21/65 , G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯/铜丝高载流复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将一定直径大小的铜线放入微波管式炉中，通入氢气进行退火处理；(2)将步骤(1)中得到的退火铜线利用电子束蒸发镀纳米金属镍膜；(3)将得到的铜镍材料利用如下图图示装置在其表面涂敷丝素蛋白有机碳源，并进行烘干；(4)将步骤(3)中烘干好的样品放入微波管式炉中，开启真空，通入氮气进行等离子体热处理，使丝素蛋白转化为氮掺杂石墨烯并包覆在铜线表面，获得氮掺杂石墨烯复合铜丝高载流复合材料。本发明解决了小尺寸丝状材料上丝素溶液难以涂抹均匀的问题，保证了由丝素转化成的氮掺杂石墨烯能够均匀地包覆住整根铜丝，使得铜丝的载流量得到提高。
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公开(公告)号：CN113644159B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110735167.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体的光电探测器及其制备方法，至少包括衬底层、设置在该衬底层上的绝缘层、在该绝缘层上形成的异质结构以及分别与该异质结构源极和漏极相连接的电极，其中，所述异质结构至少包括二硒化钨层、石墨烯层和二硫化铼层，所述二硒化钨层、石墨烯层和二硫化铼层形成的接触均为范德瓦尔斯接触，三者的堆叠构成异质结；所述二硒化钨层位于底层，完全与绝缘层接触；所述石墨烯层置于中间层，所述二硫化铼层置于顶层，所述二硒化钨层和二硫化铼层经石墨烯层隔离而相互不接触。采用本发明的技术方案，能够实现高灵敏、宽波段和极化敏感的光波探测。
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公开(公告)号：CN113990723B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202111126915.3
申请日：2021-09-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；(2)在金属导电层上附着AAO模板；(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极。本发明制备工艺简单，可大面积制备，得到的阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极开启电场低，场屏蔽效应小，电流密度较大，发射稳定性高。
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公开(公告)号：CN114318490B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111584911.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)制备丝素蛋白溶液；(2)制备高分子含碳有机薄膜；(3)微波等离子预处理；(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源，既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题，又不会产物石墨烯造成污染；通过微波等离子体技术及真空炉煅烧，能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末，实现大规模的石墨烯制备；石墨烯的形成温度在1100～1700℃，相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113101926B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110293227.X
申请日：2021-03-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于碳基材料的改性方法技术领域，公开了一种金属复合石墨烯氧还原反应电催化剂材料的制备方法。其主要特征在于利用金属盐与碳源前驱体溶液混合，然后将复合溶液旋涂在基片上，使其厚度均匀，再烘干成膜；之后利用微波等离子体技术对复合膜进行加热处理，最后生长出石墨烯包覆金属纳米颗粒的复合材料，金属颗粒大小均匀，并均匀的分布于复合材料中。该方法操作简单，实验周期短，热处理过程快速，成本低等优点，能够实现多种金属复合石墨烯的制备，为该复合材料在氧还原反应电催化剂领域提供可能。
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公开(公告)号：CN111253151B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010177566.7
申请日：2020-03-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种具有高储能密度和高功率密度的铁酸铋钛酸钡基陶瓷及其制备方法，采用0.67BiFeO3‑0.33BaTiO3体系铁电材料为基础，将铋层状材料BaBi2Nb2O9按照一定摩尔比掺入到铁酸铋钛酸钡基陶瓷中，采用固相合成方法，制备得到一种新型的具有高储能密度和高功率密度的储能陶瓷材料，该陶瓷材料的化学组成是(1‑x)(0.67BiFeO3‑0.33BaTiO3)‑xBaBi2Nb2O9，其中0.02≤x≤0.1。本发明获得的储能陶瓷材料，主要性能参数可利用储能密度Wrec＝3.09J/cm3，储能效率η＝85.6％，在100kV/cm电场下，功率密度PD＝27.2MW/cm3，电流密度可达543.95A/cm2。此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，同时符合当前无铅环保的要求。能够广泛应用于高功率微波式武器，激光武器，电磁发射器，混合动力汽车的脉冲功率体系中。
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公开(公告)号：CN109704761B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910073011.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Nb位Cr/Mo共掺杂铌酸铋钙高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为CaBi2Nb2‑x(Mo2/3Cr1/3)xO9，其中0.03≤x≤0.075。本发明还公开了该压电陶瓷材料的制备方法，采用CaBi2Nb2O9体系压电材料为基础，在Nb位按照1:2的摩尔比掺入一定比例的Cr、Mo，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d33＝15pC/N，TC＝939℃，在600℃时，ρ＝3.3×105Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。
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公开(公告)号：CN112701023A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011593091.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于场发射冷阴极领域，提供了一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其主要特征是在耐高温透明柔性基底上，基于超薄多孔氧化铝(AAO)模板以及真空物理沉积技术，实现在柔性及透光性良好的基底上的场发射冷阴极材料的制备。该制备方法主要包括4部分，(1)在柔性透明基底上沉积导电透明金膜；(2)在沉积金膜的基底上附着AAO模板；(3)利用真空物理沉积技术制备得spindt型金属阵列；(4)去除AAO模板。本发明的柔性透明场发射冷阴极制备方法简单、成本低、可进行大面积制备，在柔性平板显示器等领域中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113937175B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111051057.0
申请日：2021-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二维硫化铼光电探测器及制备方法，至少包括衬底层以及在所述衬底层形成的绝缘层，所述绝缘层上设置二维硫化铼层，并设置与所述二维硫化铼层相连接的电极作为源极和漏极，所述二维硫化铼层上通过掺杂形成四氰二甲基对苯醌层。本发明通过大分子F4‑TCNQ对ReS2进行表面修饰调控其性能，得到多种性能组合的ReS2光电探测器，包括高响应度和高灵敏的ReS2光电探测器。
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